JAJSD22B March   2017  – December 2018 DRV8702D-Q1 , DRV8703D-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 SPI Timing Requirements
    7. 6.7 Switching Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  Bridge Control
        1. 7.3.1.1 Logic Tables
      2. 7.3.2  MODE Pin
      3. 7.3.3  nFAULT Pin
      4. 7.3.4  Current Regulation
      5. 7.3.5  Amplifier Output (SO)
        1. 7.3.5.1 SO Sample and Hold Operation
      6. 7.3.6  PWM Motor Gate Drivers
        1. 7.3.6.1 Miller Charge (QGD)
      7. 7.3.7  IDRIVE Pin (DRV8702D-Q1 Only)
      8. 7.3.8  Dead Time
      9. 7.3.9  Propagation Delay
      10. 7.3.10 Overcurrent VDS Monitor
      11. 7.3.11 VDS Pin (DRV8702D-Q1 Only)
      12. 7.3.12 Charge Pump
      13. 7.3.13 Gate Drive Clamp
      14. 7.3.14 Protection Circuits
        1. 7.3.14.1 VM Undervoltage Lockout (UVLO2)
        2. 7.3.14.2 Logic Undervoltage (UVLO1)
        3. 7.3.14.3 VCP Undervoltage Lockout (CPUV)
        4. 7.3.14.4 Overcurrent Protection (OCP)
        5. 7.3.14.5 Gate Driver Fault (GDF)
        6. 7.3.14.6 Thermal Shutdown (TSD)
        7. 7.3.14.7 Watchdog Fault (WDFLT, DRV8703D-Q1 Only)
        8. 7.3.14.8 Reverse Supply Protection
      15. 7.3.15 Hardware Interface
        1. 7.3.15.1 IDRIVE (6-level input)
        2. 7.3.15.2 VDS (6-Level Input)
    4. 7.4 Device Functional Modes
    5. 7.5 Programming
      1. 7.5.1 SPI Communication
        1. 7.5.1.1 Serial Peripheral Interface (SPI)
        2. 7.5.1.2 SPI Format
    6. 7.6 Register Maps
      1. 7.6.1 DRV8703D-Q1 Memory Map
      2. 7.6.2 Status Registers
        1. 7.6.2.1 FAULT Status Register (address = 0x00h)
          1. Table 15. FAULT Status Field Descriptions
        2. 7.6.2.2 VDS and GDF Status Register Name (address = 0x01h)
          1. Table 16. VDS and GDF Status Field Descriptions
      3. 7.6.3 Control Registers
        1. 7.6.3.1 Main Control Register Name (address = 0x02h)
          1. Table 18. Main Control Field Descriptions
        2. 7.6.3.2 IDRIVE and WD Control Register Name (address = 0x03h)
          1. Table 19. IDRIVE and WD Field Descriptions
        3. 7.6.3.3 VDS Control Register Name (address = 0x04h)
          1. Table 21. VDS Control Field Descriptions
        4. 7.6.3.4 Config Control Register Name (address = 0x05h)
          1. Table 22. Config Control Field Descriptions
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 External FET Selection
        2. 8.2.2.2 IDRIVE Configuration
        3. 8.2.2.3 VDS Configuration
        4. 8.2.2.4 Current Chopping Configuration
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
    1. 9.1 Bulk Capacitance Sizing
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 関連リンク
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RHB|32
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

DRV870xD-Q1 デバイスは、2 つの外部 N チャネル MOSFET を使用して単方向ブラシ付き DC モータ、またはソレノイド負荷を駆動できる、小型のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバです。

PWMインターフェイスにより、コントローラ回路と簡単に接続できます。内蔵の検出アンプによって電流制御機能を調整できます。内蔵のチャージ・ポンプにより100%デューティ・サイクルがサポートされ、外部の逆極性バッテリ・スイッチの駆動に使用できます。独立のハーフ・ブリッジ・モードによりハーフ・ブリッジを共有し、複数のDCモータをシーケンシャルに、コスト効率の高い方法で制御できます。ゲート・ドライバには、オフ時間が固定されたPWM電流チョッピングにより巻線電流を調整するための回路が含まれています。

DRV870xD-Q1 デバイスにはスマート・ゲート・ドライブ・テクノロジが含まれているため、外部のゲート部品 (抵抗やツェナー・ダイオード) を必要とせず、外部 FET を保護できます。スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャはデッドタイムを最適化することで貫通電流状況を回避し、プログラム可能なスルーレート制御により電磁気干渉(EMI)を柔軟に低減し、いかなるゲート短絡状況からも保護を行えます。さらに、アクティブおよびパッシブ・プルダウンが組み込まれており、あらゆる dv/dt ゲート・ターンオンを防止できます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
DRV8702D-Q1 VQFN (32) 5.00mm×5.00mm
DRV8703D-Q1
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。