JAJSC99B データシート

JAJSC99B December 2012 – December 2015 TLC6C5912-Q1

PRODUCTION DATA.

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

DW|20
- MPDS173B
PW|20
- MPDS362A

サーマルパッド・メカニカル・データ

PW|20
- QFND419A

発注情報

6 仕様

6.1 絶対最大定格

自由通気で動作温度範囲内の場合(特に記述のない限り)⁽¹⁾

		最小	最大	単位
V_CC	ロジック電源電圧		8	V
V_I	ロジック入力電圧	–0.3	8	V
V_DS	電力DMOSのドレイン-ソース間電圧		42	V
	連続合計損失	熱特性についてを参照
	動作時周囲温度(上面)		125	°C
T_J	動作時のジャンクション温度	–40	150	°C
T_stg	保管温度	–55	165	°C

(1) 絶対最大定格を上回るストレスが加わった場合、デバイスに永続的な損傷が発生する可能性があります。これはストレスの定格のみについて示してあり、このデータシートの推奨動作条件に示された値を超える状態で本製品が正常に動作することを暗黙的に示すものではありません。絶対最大定格の状態に長時間置くと、本製品の信頼性に影響を与えることがあります。

6.2 ESD定格

				数値		単位
V_(ESD)	Electrostatic discharge	Human body model (HBM), per AEC Q100-002⁽¹⁾		±2000		V
V_(ESD)	Electrostatic discharge	Charged device model (CDM), per AEC Q100-011		±750		V

(1) AEC Q100-002は、 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001仕様に従ってHBMストレス試験を実施することを示します。

6.3 推奨動作条件

		最小	最大	単位
V_CC	電源電圧	3	5.5	V
V_IH	HIGHレベルの入力電圧	2.4		V
V_IL	LOWレベルの入力電圧		0.7	V
t_su	セットアップ時間、SRCK↑前のSER IN HIGH	15		ns
t_h	ホールド時間、SRCK↑後のSER IN HIGH	15		ns
t_w	パルス幅	40		ns
T_C	動作時のケース温度	–40	125	°C

6.4 熱特性について

THERMAL METRIC⁽¹⁾		TLC6C5912-Q1		UNIT
		20 PINS
		PW（TSSOP）	DW（SOIC）
R_θJA	Junction-to-ambient thermal resistance	114.8	81.2	°C/W
R_θJC(top)	Junction-to-case (top) thermal resistance	44.1	45.4	°C/W
R_θJB	Junction-to-board thermal resistance	61.3	49.1	°C/W
ψ_JT	Junction-to-top characterization parameter	4.7	17.5	°C/W
ψ_JB	Junction-to-board characterization parameter	60.8	48.6	°C/W

(1) 従来および新しい熱測定値の詳細については、『Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ and IC Package Thermal Metrics (半導体およびICパッケージの熱測定値)』のアプリケーション・レポートを参照してください。

6.5 電気的特性

V_CC= 5V、T_C= 25℃ (特に記述のない限り)

パラメータ		測定条件		最小	標準	最大	UNIT
	DRAIN0 to DRAIN11, drain-to-source voltage					40	V
V_OH	High-level output voltage, SER OUT	I_OH = –20 μA	V_CC= 5 V	4.9	4.99		V
V_OH	High-level output voltage, SER OUT	I_OH = –4 mA	V_CC= 5 V	4.5	4.69		V
V_OL	Low-level output voltage, SER OUT	I_OH = 20 μA	V_CC= 5 V		0.001	0.01	V
V_OL	Low-level output voltage, SER OUT	I_OH = 4 mA	V_CC= 5 V		0.25	0.4	V
I_IH	High-level input current	V_CC= 5 V, V_I = V_CC			0.2		μA
I_IL	Low-level input current	V_CC= 5 V, V_I = 0			–0.2		μA
I_CC	Logic supply current	V_CC= 5 V, No clock signal	All outputs off		0.1	1	μA
I_CC	Logic supply current	V_CC= 5 V, No clock signal	All outputs on		130	170	μA
I_CC(FRQ)	Logic supply current at frequency	f_SRCK = 5 MHz, C_L = 30 pF, all outputs on			300		µA
I_DSX	Off-state drain current	V_DS = 30 V, V_CC= 5 V				0.1	μA
I_DSX	Off-state drain current	V_DS = 30 V, T_C = 125°C, V_CC= 5 V			0.15	0.3	μA
r_DS(on)	Static drain-source on-state resistance	I_D = 20 mA, V_CC = 5 V, T_A = 25°C, single channel ON		6	7.4	8.6	Ω
		I_D = 50 mA, V_CC = 5 V, T_A = 25°C, all channels ON		6.7	8.9	9.6
		I_D = 20 mA, V_CC = 3.3 V, T_A = 25°C, single channel ON		7.9	9.3	11.2
		I_D = 20 mA, V_CC = 3.3 V, T_A = 25°C, all channels ON		8.7	10.6	12.3
		I_D = 20 mA, V_CC = 5 V, T_A = 125°C, single channel ON		9.1	11.2	12.9
		I_D = 20 mA, V_CC = 5 V, T_A = 125°C, all channels ON		10.3	13	14.5
		I_D = 20 mA, V_CC = 3.3 V, T_A = 125°C, single channel ON		11.6	13.7	16.4
		I_D = 20 mA, V_CC = 3.3 V, T_A = 125°C, all channels ON		12.8	15.6	18.2
T_SHUTDOWN	Thermal shutdown trip point			150	175	200	°C
t_HYS	Hysteresis				15		°C

6.6 スイッチング特性

V_CC = 5V、T_J = 25℃

PARAMETER		TEST CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	単位
t_PLH	伝搬遅延時間、Gからの出力がLOWレベルからHIGHレベルへ	C_L= 30pF、I_D = 48mA		210		ns
t_PHL	伝搬遅延時間、Gからの出力がHIGHレベルからLOWレベルへ			75		ns
t_r	立ち上がり時間、ドレイン出力			250		ns
t_f	立ち下がり時間、ドレイン出力			200		ns
t_pd	伝搬遅延時間、SRCK↓からSEROUTまで	C_L= 30pF、I_D = 48mA		35		ns
T_or	SEROUT立ち上がり時間(10%から90%へ)	C_L = 30pF		20		ns
T_of	SEROUT立ち下がり時間(90%から10%へ)	C_L = 30pF		20		ns
f_(SRCK)	シリアルクロック周波数	C_L= 30pF、I_D = 20mA			10	MHz
T_{SRCK_WH}	SRCKパルス幅、HIGH		30			ns
T_{SRCK_WL}	SRCKパルス幅、LOW		30			ns

TLC6C5912-Q1 SER_IN_to_SER_OUT_Waveforms_SLIS141.gif

Figure 1. SER INからSER OUTへの波形

SER INからSER OUTへの波形を、Figure 1に示します。出力信号は、シフト・レジスタ・クロック(SRCK)の立ち下がりエッジで現れます。これは、SER OUTに位相インバータが存在するためです(機能ブロック図を参照)。その結果、データがSER INからSER OUTへ転送されるにはSRCKの11.5周期分の時間が必要です。