JAJSPT8F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスのオプション表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 品質適合検査
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1  バイアス電源
      2. 8.3.2  出力電圧構成
      3. 8.3.3  電圧源を使用した出力電圧構成
      4. 8.3.4  イネーブル
      5. 8.3.5  ソフト スタートとノイズ低減
      6. 8.3.6  構成可能なパワー グッド
      7. 8.3.7  電流制限
      8. 8.3.8  安定性
        1. 8.3.8.1 出力容量
        2. 8.3.8.2 補償
      9. 8.3.9  カレント シェア（電流共有）
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 ノイズ
      12. 8.3.12 サーマル・シャットダウン
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 アプリケーション 1：EN によるターンオン・スレッショルドの設定
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 バイアス電源
          2. 9.2.1.2.2 出力電圧構成
          3. 9.2.1.2.3 出力電圧精度
          4. 9.2.1.2.4 イネーブル スレッショルド
          5. 9.2.1.2.5 ソフト スタートとノイズ低減
          6. 9.2.1.2.6 構成可能なパワー グッド
          7. 9.2.1.2.7 電流制限
          8. 9.2.1.2.8 出力コンデンサとフェライト ビーズ
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 アプリケーション 2：並列動作
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 カレント シェア（電流共有）
        3. 9.2.2.3 アプリケーション結果
    3. 9.3 テストしたコンデンサ
    4. 9.4 TID の影響
    5. 9.5 電源に関する推奨事項
    6. 9.6 レイアウト
      1. 9.6.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.6.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 10.1.2 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • HBL|14
  • PWP|28
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
9.2.1.2.3 出力電圧精度

出力電圧精度を決定するには、セクション 6.5 表にある VACC の仕様を参照します。全温度範囲で、VACC の最小精度は -1.3%、最大精度は +1.2% です。この仕様は、–55℃～125℃の温度範囲全体、全入力電圧 (0.85V ≤ VIN ≤ 7V および 2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V)、および全負荷 (1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A) に適用されます。測定に関する追加の詳細は、セクション 8.3.2 に示されています。システム レベルの精度を計算するため、以下の誤差発生源も追加されます。

  • TID 後の仕様は室温で測定されるため (高温でのアニーリングを防止するための MIL 規格)、TID ドリフトは過熱精度仕様の一部ではありません。TID 後の TPS7H1111 は、最小精度 -0.7%、最大精度 +1.1% と規定されています。これを、TID 前の最小精度 -0.7% および最大精度 +0.9% と比較します。つまり、TID により、仕様に 0.2% の誤差が追加されたことになります。単一ユニットのワーストケースの TID ドリフトを使用することもできますが、その場合ユニットの初期室温精度が最大値に近く、ドリフトが最大値に近いことが必要になるため、過度に悲観的なものになる可能性があります。
  • RREF および RSET 抵抗の抵抗許容誤差による外部誤差を追加する必要があります。誤差は無相関であると想定されるため、誤差を 2 乗和として加算することにします。選択した許容誤差が 0.1% の RREF および RSET 抵抗では、合計誤差は次のようになります：R(error) = sqrt(0.1%2+0.1%2) = +/– 0.14%.

出力電圧精度のシステム誤差を計算するには、式 15 を使用します。

式 15. System(error) = VACC + R(error) + TID(error)

そのため、負の誤差は System(error) = –1.3% – 0.14% – 0% = –1.44% となり、正の誤差は System(error) = 1.2% + 0.14% + 0.2% = 1.54% となります。TPS7H1111 デバイス、外付け抵抗、および TID の 100krad(Si) による総システム誤差は +1.54%/–1.44% となります。総システム誤差を中心にすると、±1.49% となります。

寿命ドリフト データも同様に追加できます。グループ C のデータを、この計算に使用できます。この例では、寿命ドリフトは他の誤差発生源にくらべて小さいと仮定しているため、加算しません。