JAJSPT8F February   2023  – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスのオプション表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 品質適合検査
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1  バイアス電源
      2. 8.3.2  出力電圧構成
      3. 8.3.3  電圧源を使用した出力電圧構成
      4. 8.3.4  イネーブル
      5. 8.3.5  ソフト スタートとノイズ低減
      6. 8.3.6  構成可能なパワー グッド
      7. 8.3.7  電流制限
      8. 8.3.8  安定性
        1. 8.3.8.1 出力容量
        2. 8.3.8.2 補償
      9. 8.3.9  カレント シェア（電流共有）
      10. 8.3.10 PSRR
      11. 8.3.11 ノイズ
      12. 8.3.12 サーマル・シャットダウン
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 アプリケーション 1：EN によるターンオン・スレッショルドの設定
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 バイアス電源
          2. 9.2.1.2.2 出力電圧構成
          3. 9.2.1.2.3 出力電圧精度
          4. 9.2.1.2.4 イネーブル スレッショルド
          5. 9.2.1.2.5 ソフト スタートとノイズ低減
          6. 9.2.1.2.6 構成可能なパワー グッド
          7. 9.2.1.2.7 電流制限
          8. 9.2.1.2.8 出力コンデンサとフェライト ビーズ
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 アプリケーション 2：並列動作
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 カレント シェア（電流共有）
        3. 9.2.2.3 アプリケーション結果
    3. 9.3 テストしたコンデンサ
    4. 9.4 TID の影響
    5. 9.5 電源に関する推奨事項
    6. 9.6 レイアウト
      1. 9.6.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.6.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 10.1.2 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • HBL|14
  • PWP|28
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

0.85V ≤ VIN ≤ 7V、VBIAS ≥ VOUT + 1.6V (VIN ≤ VBIAS ≤ 14V & VBIAS ≥ 2.2V)、VOUT (ターゲット) ≤ VIN – 1.6V、IOUT = 1mA、COUT = 220µF(1)、RREF = 12.0kΩ、動作温度範囲全体 (TA = –55℃～125℃)、特に記述のない限り、標準値は TA = 25℃での値 (QML RHA および SEP デバイスにサブグループ番号が存在する場合の TA = 25℃での RLAT を含む)(2)
パラメータ テスト条件 サブグループ(3) 最小値 標準値 最大値 単位
電源と電流
VDO VBIAS ≥ VOUT + 1.6V
でのドロップアウト電圧		 0.85V ≤ VIN ≤ 7V、
VOUT = 98.5% × VOUT(NOM)		 IOUT = 0.1 A 1、2、3 17 40 mV
IOUT = 0.5A 1、2、3 75 150
IOUT = 1A 1、2、3 110 280
IOUT = 1.5A 1、2、3 215 430
VDO VBIAS = VIN でのドロップアウト電圧 2.2V ≤ VIN ≤ 7V、
VOUT = 98.5% × VOUT(NOM)		 IOUT = 0.1 A 1、2、3 785 1100 mV
IOUT = 0.5A 1、2、3 908 1150
IOUT = 1A 1、2、3 1063 1250
IOUT = 1.5A 1、2、3 1168 1400
ILIM 出力電流制限 2.5V ≤ VIN ≤ 7V
VOUT = 0.5V、
VCLM = VIN		 TA = -55°C 3 1.8 1.95 2.1 A
TA = 25℃ 1 1.75 1.85 2
TA = 125℃ 2 1.7 1.8 1.95
ICLM(LKG) CLM の入力リーク電流 VCLM = 7V 1、2、3 5 150 nA
IQ_IN 静止時電流 VEN = 7V、IOUT = 0A
1、2、3

 19 27 mA
IQ_BIAS 出力負荷なしでのバイアス電流 VEN = 7V、IOUT = 0A
1、2、3

 16 25
IIN_GND 全出力負荷での IIN – IOUT VEN = 7V、IOUT = 1.5A
1、2、3

 20 27 mA
IBIAS 全出力負荷でのバイアス電流 VEN = 7V、IOUT = 1.5A
1、2、3

 17 25
ISHDN シャットダウン電流 VEN = 0V、IOUT = 0A、VOUT = 0V
1、2、3

 20 350 µA
ISHDN_BIAS シャットダウン バイアス電流 VEN = 0V、IOUT = 0A、VOUT = 0V
1、2、3

 550 1000
精度
VACC 出力電圧精度
 1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A、
2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V(4)、
PD ≤ 4W(5)		 –55℃ ≤ TA ≤ 125℃ 1、2、3 -1.3% 1.2%
TA = -55°C 3 -1.3% 0.5%
TA = 25℃ 1 -0.7% 0.9%
TA = 25℃、TID 後(6) 1 -0.7% 1.1%
TA = 125℃ 2 -0.7% 1.2%
ISET VOUT を設定する SS_SET ピンの電流
 –55℃ ≤ TA ≤ 125℃
1、2、3

 98.8 99.9 101 μA
TA = -55°C 3 98.8 99.4 100.3
TA = 25℃ 1 99.0 100 100.9
TA = 125℃ 2 99.2 100.2 101
VOS 出力オフセット電圧
(VOUT - VSS_SET)
 –55℃ ≤ TA ≤ 125℃ 1、2、3 -2 0.78 mV
TA = -55°C 3 -1.33 -0.2 0.78
TA = 25℃ 1 -1.45 -0.25 0.76
TA = 25℃、TID 後(6) 1 -1.45 1.5
TA = 125℃ 2 -2 -0.5 0.7
VOUTtempco VOUT 温度係数 TA = -55℃～125℃ 0.004% VOUT/
℃
TA = -55℃～-40℃ 0.011%
TA = -40℃～0℃ 0.007%
TA = 0℃～25℃ 0.005%
TA = 25℃～85℃ 0.003%
TA = 85℃～125℃ 0.001%
VREF リファレンス電圧、セラミック パッケージ 1、2、3 1.191 1.206 1.220 V
VREF リファレンス電圧、プラスチック パッケージ 1、2、3 1.190 1.206 1.221
ΔVOUT/ΔVIN ライン レギュレーション、図 7-1 を参照 0.85V ≤ VIN ≤ 7V、IOUT = 1mA、VBIAS = 5V、VOUT = 0.4V 1、2、3 3 200 μV/V
ΔVOUT/ΔIOUT 負荷レギュレーション、図 7-2 を参照 1mA ≤ IOUT ≤ 1.5A、VBIAS = 5V、VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V 1、2、3 500 1000 µV/A
カレント シェア誤差のパーセンテージ Rballast = 5mΩ、
TA = 25℃		 IOUT(TOTAL) = 1.2A ±1%
IOUT(TOTAL) = 2.9A ±0.1%
IOUTS(LKG) OUTS のリーク電流 1、2、3 20 200 nA
イネーブル
VEN(rising) イネーブル立ち上がりスレッショルド (ターンオン) 1、2、3 0.58 0.60 0.62 V
VEN(falling) イネーブル立ち下がりスレッショルド (ターンオフ) 1、2、3 0.48 0.50 0.52
tEN(delay) EN 伝搬遅延 EN High から VOUT = 10mV まで 9、10、11 90 500 μs
IEN(LKG) イネーブル入力リーク電流 VEN = 7 V 1、2、3 3 150 nA
TSD(enter) サーマル シャットダウン開始 160 ℃
TSD(exit) サーマル シャットダウン終了 130
パワー グッド
VFB_PG(rising) パワー グッドの立ち上がりスレッショルド 1、2、3
 290 306 313 mV
VFB_PG(HYS) パワー グッドのヒステリシス 1、2、3 7 14 19
IFB_PG(LKG) FB_PG の入力リーク電流 VFB_PG = 6V 1、2、3 9 150 nA
VPG(OL) パワー グッド出力 Low IPG(SINK) = 2mA 1、2、3 113 200 mV
VIN(MIN_PG) 有効な PG の最小 VIN または VBIAS (VPG < 0.5V) IPG(sink) = 0.6mA 1、2、3
 0.6 0.8 V
IPG(LKG) パワー グッドのリーク電流 VPG = 7V、VFB_PG > VFB_PG(rising threshold) 1、2、3
 0.1 2 μA
ソフトスタート
ISS_SET(start) スタートアップ時の SS_SET ピンの電流 1、2、3
 1.68 2.1 2.52 mA
tSS ソフト スタート時間 VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V、
IOUT = 1A、
RFB_PG(top) = 44.2kΩ、
RFB_PG(bot) = 10kΩ		 CSS = 2.2µF 1.7 ms
CSS = 4.7µF 3.7
CSS = 10µF 7.8
ノイズおよび PSRR
PSRR 電源除去比 VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V、VBIAS = 5V、IOUT = 1A、CSS = 4.7µF、
CBIAS = 4.7µF、
RBIAS = 10Ω		 fripple = 100Hz 109 dB
fripple = 1kHz 109
fripple = 10kHz 90
fripple = 100kHz 71
fripple = 1MHz 66
fripple = 10MHz 30
PSRRBIAS 電源除去比、
VBIAS から VOUT		 VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V、VBIAS = 5V、IOUT = 1A、CSS = 4.7µF、
CBIAS = 4.7µF、
RBIAS = 10Ω		 fripple = 100Hz 102 dB
fripple = 1kHz 105
fripple = 10kHz 87
fripple = 100kHz 97
fripple = 1MHz 118
fripple = 10MHz 68
VN 出力ノイズ RMS 電圧
(10Hz～100kHz の帯域幅)		 VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V、VBIAS = 5V、IOUT = 1A CSS = 2.2µF 1.73 μVRMS
CSS = 4.7µF 1.71
CSS = 10µF 1.69
eN 出力ノイズ電圧密度 VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V、VBIAS = 5V、
IOUT = 1A、CSS = 4.7µF		 f = 10Hz 97 nV/√Hz
f = 100Hz 11.2
f = 1kHz 5.4
f = 10kHz 5.6
f = 100kHz 4.9
f = 1MHz 1.6
f = 10MHz 1.7
安定性
PM 位相マージン VIN = 2.5V、VOUT = 1.8V、IOUT = 1.0A、
COUT = 2 x 100µF(7)		 98°
GM ゲイン マージン 19 dB
(1) 1 つの 220µF タンタル コンデンサを使用
(2) QML RHA デバイスの詳細については 5962R21203 SMD を、SEP デバイスの詳細については V62/23602 VID を参照してください。
(3) サブグループは、デバイスの QML バージョンにのみ適用できます。サブグループの定義については、セクション 6.6 を参照してください。
(4) また、VBIAS ≥ VIN および VBIAS ≥ VOUT + 1.6V です。
(5) PD は内部消費電力です。PD が 4W を超えると、(テスタの制限による) 局所的な過熱を避けるため、電流が低下します。
(6) QMLV および QMLP 部品の場合は TID = 100krad(Si)、SEP 部品の場合は TID = 50krad(Si) です。
(7) 詳細については、セクション 9.3 を参照してください。