JAJSDB5 June   2017 UCC28730-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Timing Requirements
    7. 6.7 Switching Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Detailed Pin Description
        1. 7.3.1.1 VDD (Device Bias Voltage Supply)
        2. 7.3.1.2 GND (Ground)
        3. 7.3.1.3 HV (High Voltage Startup)
        4. 7.3.1.4 DRV (Gate Drive)
        5. 7.3.1.5 CBC (Cable Compensation)
        6. 7.3.1.6 VS (Voltage Sense)
        7. 7.3.1.7 CS (Current Sense)
      2. 7.3.2 Primary-Side Regulation (PSR)
      3. 7.3.3 Primary-Side Constant Voltage Regulation
      4. 7.3.4 Primary-Side Constant Current Regulation
      5. 7.3.5 Wake-Up Detection and Function
      6. 7.3.6 Valley-Switching and Valley-Skipping
      7. 7.3.7 Startup Operation
      8. 7.3.8 Fault Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Stand-By Power Estimate
        2. 8.2.2.2 Input Bulk Capacitance and Minimum Bulk Voltage
        3. 8.2.2.3 Transformer Turns Ratio, Inductance, Primary-Peak Current
        4. 8.2.2.4 Transformer Parameter Verification
        5. 8.2.2.5 Output Capacitance
        6. 8.2.2.6 VDD Capacitance, CVDD
        7. 8.2.2.7 VS Resistor Divider, Line Compensation, and Cable Compensation
        8. 8.2.2.8 VS Wake-Up Detection
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Do's and Don'ts
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 デバイスの項目表記
        1. 11.1.1.1  容量項(ファラッド単位)
        2. 11.1.1.2  デューティ・サイクル項
        3. 11.1.1.3  周波数項(ヘルツ単位)
        4. 11.1.1.4  電流項(アンペア単位)
        5. 11.1.1.5  電流および電圧のスケーリング項
        6. 11.1.1.6  トランスの項
        7. 11.1.1.7  電力項(ワット単位)
        8. 11.1.1.8  抵抗項(オーム単位)
        9. 11.1.1.9  タイミング項(秒単位)
        10. 11.1.1.10 DC電圧項(ボルト単位)
        11. 11.1.1.11 AC電圧項(ボルト単位)
        12. 11.1.1.12 効率項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11 デバイスおよびドキュメントのサポート

11.1 デバイス・サポート

11.1.1 デバイスの項目表記

11.1.1.1 容量項(ファラッド単位)

  • CBULK: CB1とCB2の合計入力容量
  • CVDD: VDDピンに必要な最小容量
  • COUT: 必要な最小出力容量

11.1.1.2 デューティ・サイクル項

  • DMAGCC: CCモード中の2次側ダイオード導通デューティ・サイクル定数 = 0.432
  • DMAX: 許容される最大のMOSFETオン時間デューティ・サイクル
  • NHC: ライン・ドロップアウト中のACライン周波数の半サイクル数

11.1.1.3 周波数項(ヘルツ単位)

  • fLINE: 最小ライン周波数
  • fMAX: コンバータの目標全負荷最大スイッチング周波数
  • fMIN: コンバータの実際の最小スイッチング周波数
  • fSW(max): コントローラの最大スイッチング周波数能力(「Electrical Characteristics」を参照)
  • fSW(min): コントローラの最小スイッチング周波数能力(「Electrical Characteristics」を参照)

11.1.1.4 電流項(アンペア単位)

  • IOCC: コンバータの出力定電流目標
  • IPP(max): トランスの最大1次側ピーク電流
  • ISTART: スタートアップ前のVDDバイアス電流(「Electrical Characteristics」を参照)
  • ITRAN: 必要な正の負荷ステップ電流
  • IWAIT: ウェイト状態時のVDDバイアス電流(「Electrical Characteristics」を参照)
  • IVSL(run): VSピンの動作電流(「Electrical Characteristics」を参照)

11.1.1.5 電流および電圧のスケーリング項

  • KAM: 1次側電流ピーク振幅の最大値と最小値の比(「Electrical Characteristics」を参照)
  • KLC: ライン補償の電流スケーリング定数(「Electrical Characteristics」を参照)
  • KCo: COUTの計算に使用する安定性係数 = 100

11.1.1.6 トランスの項

  • LP: トランスの1次側インダクタンス
  • NAS: トランスの補助/2次巻線比
  • NPA: トランスの1次/補助巻線比
  • NPS: トランスの1次/2次巻線比

11.1.1.7 電力項(ワット単位)

  • PIN: 全負荷時のコンバータの最大入力電力
  • POUT: 全負荷時のコンバータの出力電力
  • PSTBY: 待機状態でのコンバータの合計入力電力

11.1.1.8 抵抗項(オーム単位)

  • RCS: 1次電流プログラミング抵抗
  • RESR: 出力コンデンサの合計ESR
  • RPL: コンバータの出力のプリロード抵抗
  • RS1: VS入力のハイサイド抵抗
  • RS2: VS入力のローサイド抵抗

11.1.1.9 タイミング項(秒単位)

  • tD: MOSFETのターンオフ遅延を含む合計電流センス遅延時間、MOSFET遅延に50nsを加算
  • tDMAG(min): 2次側整流器の最小導通時間(トランスの消磁時間)
  • tON(min): 最小MOSFETオン時間
  • tR: tDMAG後の共振リンギング期間

11.1.1.10 DC電圧項(ボルト単位)

  • VBULK: 待機電力測定用の最大バルク・コンデンサ電圧
  • VBULK(min): フルパワー時のバルク・コンデンサ上の最小バレー電圧
  • VOCBC: 出力端子の目標ケーブル補償電圧
  • VCBC(max): 最大出力電流時のCBCピン上の最大電圧(「Electrical Characteristics」を参照)
  • VCCR: 定電流レギュレート係数電圧(「Electrical Characteristics」を参照)
  • VCST(max): CSピンの最大電流センシング・スレッショルド(「Electrical Characteristics」を参照)
  • VCST(min): CSピンの最小電流センシング・スレッショルド(「Electrical Characteristics」を参照)
  • VVDD(off): UVLO電源オフ・スレッショルド電圧(「Electrical Characteristics」を参照)
  • VVDD(on): UVLO電源オン・スレッショルド電圧(「Electrical Characteristics」を参照)
  • VVDD(maxΔ): ウェイト状態中のスイッチング・サイクル間でのVDD電圧の最大降下
  • VOΔ: 出力の負荷過渡中に許容される出力電圧降下
  • VDSPK: 高ラインでのピークMOSFETドレイン-ソース電圧
  • VF: ゼロに近い電流での2次側整流器の順方向電圧降下
  • VFA: 補助整流器の順方向電圧降下
  • VLK: 1次側リーク・インダクタンス・エネルギーの推定リセット電圧
  • VOCV: コンバータのレギュレーション出力電圧
  • VOCC: 定電流レギュレーション時の目標最低出力電圧
  • VREV: 2次側整流器でのピーク逆方向電圧
  • VRIPPLE: 全負荷時の出力ピーク・ツー・ピーク・リップル電圧
  • VVSR: VS入力での定電圧レギュレーション・レベル(「Electrical Characteristics」を参照)
  • ΔVCQ: スイッチング・サイクル間の負荷放電によってCOUT電圧に許容される変化

11.1.1.11 AC電圧項(ボルト単位)

  • VIN(max): コンバータへの最大AC入力電圧
  • VIN(min): コンバータへの最小AC入力電圧
  • VIN(run): コンバータのスタートアップ(動作)入力電圧

11.1.1.12 効率項

  • ηSB: フライバック・コンバータの、出力電力が0であるときの推定内部プリロード電力効率。この効率は、RPLで消費されるコンバータの内部プリロード電力を、待機状態のコンバータの合計入力電力PSTBYで除算して計算されます。設計の開始時には推定値として50%を使用できます。
  • η: 最大定格出力電力でのコンバータの全体効率
  • ηXFMR: トランスの電力伝送効率

11.2 ドキュメントのサポート

11.2.1 関連資料

  • 『UCC24650 高速過渡PSR用の200Vウェイクアップ・モニタ』、SLUSBL6
  • 『UCC28730 ゼロパワー・スタンバイ、PSRフライバック・コントローラ、CVCCおよびウェイクアップ監視付き』、SLUSBL5
  • UCC28730EVM-552 EVMユーザー・ガイド『UCC28730EVM-552の使用法』、SLUUB75

11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

11.4 コミュニティ・リソース

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™オンライン・コミュニティ TIのE2E（Engineer-to-Engineer）コミュニティ。エンジニア間の共同作業を促進するために開設されたものです。e2e.ti.comでは、他のエンジニアに質問し、知識を共有し、アイディアを検討して、問題解決に役立てることができます。
    設計サポート TIの設計サポート 役に立つE2Eフォーラムや、設計サポート・ツールをすばやく見つけることができます。技術サポート用の連絡先情報も参照できます。

11.5 商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

11.6 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

11.7 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.