MOSFET
Carga de compuerta baja y resistencia para transistores de conmutación rápida
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MOSFET de canal N
≤30 V máx. BVDSS
De 40 V a 100 V máx. BVDSS
MOSFET de canal P
≤20 V máx. BVDSS
Bloques de potencia
Bloques de alimentación para la fuente de alimentación
Los bloques de alimentación integran dos MOSFET en un único encapsulado PowerStack™ que elimina la inductancia parisítica y mejora la eficiencia.
Bloques de alimentación para control de motores
Nuestro encapsulado DualCool™ reduce el espacio de PCB en un 50 % y permite una alta capacidad de corriente con una resistencia de encendido ultrabaja para minimizar las pérdidas de conducción.
Más información sobre nuestros MOSFET
El índice de conmutación inductiva sin bloqueo (UIS) ha demostrado ser un parámetro útil desde que se hizo frecuente en las hojas de datos de los transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) a mediados de los años ochenta. Aunque en las aplicaciones reales no se recomienda una avalancha repetitiva del transistor de efecto de campo (FET), los ingenieros han aprendido a utilizar esta métrica para evitar diseñar dispositivos más débiles que puedan causar problemas.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. D)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
El SOA del MOSFET se puede extraer de 5 limitaciones distintas, resistencia, corriente, potencia máxima, inestabilidad térmica y tensión del MOSFET. Más información sobre cómo interpretar las curvas SOA de la hoja de datos de un MOSFET.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. D)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
Mas información sobre cómo los valores nominales de corriente de los MOSFET no se miden de la misma forma que se determinan parámetros como RDS(ON) y la carga de compuerta, sino que se calculan y se puede llegar a ellos de muchas formas distintas.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. D)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
Más información sobre otros parámetros de conmutación que aparecen en la hoja de datos del MOSFET y su importancia (o falta de ella) para el rendimiento general del dispositivo.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. D)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
El rendimiento de un MOSFET en circuito depende en gran medida del rendimiento térmico del dispositivo.
Más información sobre los parámetros de impedancia térmica de la unión al ambiente y de la unión a la carcasa que aparecen en la hoja de datos de un FET y cómo se obtienen estas cifras.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. D)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, part 6 – thermal impedance
Mas información sobre cómo compensar rápidamente tamaño, costo y rendimiento para seleccionar el MOSFET óptimo en función de las condiciones de la aplicación. Un experto en aplicaciones MOSFET de Texas Instruments (TI) repasa un ejemplo de las muchas herramientas de pérdida de potencia MOSFET basadas en aplicaciones.