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CSD96371Q5M

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Etapa de potencia NexFET™ de reductor síncrono de 20 V, 30 A, SON 5 x 6 mm

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CSD96371Q5M

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Detalles del producto

VDS (V) 25 Ploss current (A) 25
VDS (V) 25 Ploss current (A) 25
LSON-CLIP (DQP) 22 30 mm² 6 x 5
  • 92% System Efficiency at 30A
  • High Frequency Operation (Up To 2MHz)
  • High Density – SON 5-mm × 6-mm Footprint
  • Low Power Loss 3.4W at 30A
  • Ultra Low Inductance Package
  • System Optimized PCB Footprint
  • 3.3V and 5V PWM Signal Compatible
  • 3-State PWM Input
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Pre-Bias Start-Up Protection
  • Shoot Through Protection
  • RoHS Compliant – Lead Free Terminal Plating Halogen Free
  • 92% System Efficiency at 30A
  • High Frequency Operation (Up To 2MHz)
  • High Density – SON 5-mm × 6-mm Footprint
  • Low Power Loss 3.4W at 30A
  • Ultra Low Inductance Package
  • System Optimized PCB Footprint
  • 3.3V and 5V PWM Signal Compatible
  • 3-State PWM Input
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Pre-Bias Start-Up Protection
  • Shoot Through Protection
  • RoHS Compliant – Lead Free Terminal Plating Halogen Free

The CSD96371Q5M NexFET Power Stage has an optimized design for use in a high power high density Synchronous Buck converter. This product integrates the gate driver IC and Power MOSFETs to complete the power stage switching function. This combination produces high current, high efficiency, and high speed switching capability in a small 5-mm × 6-mm outline package. In addition, the PCB footprint has been optimized to help reduce design time and simplify the completion of the overall system design.

The CSD96371Q5M NexFET Power Stage has an optimized design for use in a high power high density Synchronous Buck converter. This product integrates the gate driver IC and Power MOSFETs to complete the power stage switching function. This combination produces high current, high efficiency, and high speed switching capability in a small 5-mm × 6-mm outline package. In addition, the PCB footprint has been optimized to help reduce design time and simplify the completion of the overall system design.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet Synchronous Buck NexFET Power Stage - CSD96371Q5M datasheet 05 dic 2012
Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25 jun 2018

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

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LSON-CLIP (DQP) 22 Ver opciones
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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