제품 상세 정보

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM, SPI Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM, SPI Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTQFP (PHP) 48 81 mm² 9 x 9
  • Three phase half-bridge gate driver
    • Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V wide operating voltage range
    • Bootstrap architecture for high-side gate driver
    • Strong GVDD charge pump to support up to 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
    • Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external cut-off or reverse polarity protection circuit
  • Smart Gate Drive architecture
    • 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink)
    • Three-step drive current configuration to optimize charge/discharge cycle and minimize deadtime
    • Closed-loop automatic deadtime insertion based on gate-source voltage monitoring
    • Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
  • Low-side Current Sense Amplifier
    • Sub-1 mV low input offset across temperature
    • 9-level adjustable gain
  • SPI-based detailed configuration and diagnostics
  • DRVOFF pin to disable driver independently
  • High voltage wake up pin (nSLEEP)
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Integrated protection features
    • Battery and power supply voltage monitors
    • Phase feedback comparator
    • MOSFET VDS and Rsense over current monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition indicator pin
  • Three phase half-bridge gate driver
    • Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V wide operating voltage range
    • Bootstrap architecture for high-side gate driver
    • Strong GVDD charge pump to support up to 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
    • Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external cut-off or reverse polarity protection circuit
  • Smart Gate Drive architecture
    • 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink)
    • Three-step drive current configuration to optimize charge/discharge cycle and minimize deadtime
    • Closed-loop automatic deadtime insertion based on gate-source voltage monitoring
    • Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
  • Low-side Current Sense Amplifier
    • Sub-1 mV low input offset across temperature
    • 9-level adjustable gain
  • SPI-based detailed configuration and diagnostics
  • DRVOFF pin to disable driver independently
  • High voltage wake up pin (nSLEEP)
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Integrated protection features
    • Battery and power supply voltage monitors
    • Phase feedback comparator
    • MOSFET VDS and Rsense over current monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition indicator pin

The DRV8334 is an integrated smart gate driver for three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8334 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and a GVDD charge pump. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 0.7-mA up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8334 can operate from a single power supply with a wide input range of 4.5 to 60-V. A trickle charge pump allows for the gate drivers to support 100% PWM duty cycle control, and provides overdrive gate drive voltage of external switches.

The DRV8334 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurement.

A wide range of diagnostics and protection features integrated in the DRV8334 enable a robust motor drive system design and help eliminate the needs of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.

The DRV8334 is an integrated smart gate driver for three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8334 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and a GVDD charge pump. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 0.7-mA up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8334 can operate from a single power supply with a wide input range of 4.5 to 60-V. A trickle charge pump allows for the gate drivers to support 100% PWM duty cycle control, and provides overdrive gate drive voltage of external switches.

The DRV8334 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurement.

A wide range of diagnostics and protection features integrated in the DRV8334 enable a robust motor drive system design and help eliminate the needs of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.

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* Data sheet DRV8334 Three-Phase Smart Gate Driver with Accurate Current Sensing and Advanced Monitoring datasheet PDF | HTML 2023/05/09
EVM User's guide DRV8334 Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2023/11/15

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DRV8334EVM — 3상 게이트 드라이버용 DRV8334 평가 모듈

DRV8334 평가 모듈(EVM)은 BLDC 모터용 DRV8334 게이트 드라이버를 기반으로 하는 30A, 3상 브러시리스 DC 드라이브 단계입니다. EVM을 사용하면 사다리꼴 전류 및 제어를 사용하여 BLDC 모터를 구동하는 DRV8334 장치의 빠른 평가를 수행할 수 있습니다. 사용자 피드백을 위해 모든 전원 공급 장치의 상태 LED와 장애 표시등이 포함되어 있습니다. C2000™ LaunchPad™ 개발 키트(LAUNCHXL-F280049C)가 필요하며 DRV8334를 제어하고 오류를 모니터링하고 보고하는 데 사용됩니다.
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매할 수 없습니다
평가 모듈(EVM)용 GUI

DRV8334EVM-SENSORED-TRAPEZOIDAL-GUI DRV8334EVM GUI to support sensored trapezoidal motor control

DRV8334EVM GUI to support sensored trapezoidal motor control
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
BLDC 드라이버
DRV8334 정확한 전류 감지를 지원하는 60V 1000mA~2,000mA 3상 게이트 드라이버
계산 툴

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
BLDC 드라이버
DRV8320 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8320R 벅 레귤레이터를 갖춘 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8323 전류 션트 증폭기를 지원하는 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8323R 벅 레귤레이터 및 전류 션트 증폭기를 지원하는 65V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8329 단일 전류 감지 증폭기를 지원하는 60V 1000/2000 mA 3상 게이트 드라이버 DRV8334 정확한 전류 감지를 지원하는 60V 1000mA~2,000mA 3상 게이트 드라이버 DRV8340-Q1 오토모티브 12V~24V 배터리 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8343-Q1 오토모티브 12V~24V 배터리 3상 스마트 게이트 드라이버 전류 션트 증폭기 DRV8350 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8350F 102V 최대 3상 기능 안전 품질-관리 스마트 게이트 드라이버 DRV8350R 벅 레귤레이터를 갖춘 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8353 전류 션트 증폭기를 갖춘 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8353F 102V 최대 3상 기능 안전 품질-관리 스마트 게이트 드라이버 3x CSA DRV8353M 전류 션트 증폭기 및 확장된 온도를 지원하는 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버 DRV8353R 벅 레귤레이터 및 전류 션트 증폭기를 지원하는 102V 최대 3상 스마트 게이트 드라이버
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HTQFP (PHP) 48 옵션 보기

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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