인터페이스 광 네트워킹 IC

ONET2804T

활성

28Gbps 4채널 제한 트랜스임피던스 증폭기

제품 상세 정보

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 28000 Supply current (typ) (µA) 42000 Deterministic jitter (typ) (ps) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 28000 Supply current (typ) (µA) 42000 Deterministic jitter (typ) (ps) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 100
DIESALE (Y) See data sheet
  • 4-Channel Multi-Rate operation up to 28 Gbps
  • 10 kΩ Differential Transimpedance
  • 21 GHz Bandwidth
  • 1.8 µArms Input Referred Noise
  • 2.9 mAPP Input Overload Current
  • Programmable Output Voltage
  • Adjustable Gain and Bandwidth
  • Received Signal Strength Indicator (RSSI) for each Channel
  • 40 dB Isolation Between Channels (Die only)
  • Single 3.3 V Supply
  • 139 mW per Channel
  • Pad Control or 2-Wire Control
  • On Chip Filter Capacitors
  • –40°C to 100°C Operation
  • Die Size: 3250 µm × 1450 µm, 750 µm Channel Pitch
  • 4-Channel Multi-Rate operation up to 28 Gbps
  • 10 kΩ Differential Transimpedance
  • 21 GHz Bandwidth
  • 1.8 µArms Input Referred Noise
  • 2.9 mAPP Input Overload Current
  • Programmable Output Voltage
  • Adjustable Gain and Bandwidth
  • Received Signal Strength Indicator (RSSI) for each Channel
  • 40 dB Isolation Between Channels (Die only)
  • Single 3.3 V Supply
  • 139 mW per Channel
  • Pad Control or 2-Wire Control
  • On Chip Filter Capacitors
  • –40°C to 100°C Operation
  • Die Size: 3250 µm × 1450 µm, 750 µm Channel Pitch

The ONET2804T is a high gain limiting transimpedance amplifier for parallel optical interconnects with data rates up to 28 Gbps. The device is used in conjunction with a 750 µm pitch photodiode array to convert an optical signal into a differential output voltage. An internal circuit provides the photodiode reverse bias voltage and senses the average photocurrent supplied to each photodiode.

The device can be used with pin control or a two-wire serial interface to allow control of the output amplitude, gain, bandwidth and input threshold.

The ONET2804T provides 21 GHz bandwidth, a gain of 10 kΩ, an input referred noise of 1.8 µArms and a received signal strength indicator (RSSI) for each channel. 40 dB isolation between channels results in low crosstalk penalty in the receiver.

The part requires a single 3.3 V supply and typically dissipates 139 mW per channel with a differential output amplitude of 500 mVPP. It is characterized for operation from –40°C to 100°C temperatures and is available in die form with a 750 µm channel pitch.

To request a full data sheet, please send an email to: onet2804t_request@ti.com.





The ONET2804T is a high gain limiting transimpedance amplifier for parallel optical interconnects with data rates up to 28 Gbps. The device is used in conjunction with a 750 µm pitch photodiode array to convert an optical signal into a differential output voltage. An internal circuit provides the photodiode reverse bias voltage and senses the average photocurrent supplied to each photodiode.

The device can be used with pin control or a two-wire serial interface to allow control of the output amplitude, gain, bandwidth and input threshold.

The ONET2804T provides 21 GHz bandwidth, a gain of 10 kΩ, an input referred noise of 1.8 µArms and a received signal strength indicator (RSSI) for each channel. 40 dB isolation between channels results in low crosstalk penalty in the receiver.

The part requires a single 3.3 V supply and typically dissipates 139 mW per channel with a differential output amplitude of 500 mVPP. It is characterized for operation from –40°C to 100°C temperatures and is available in die form with a 750 µm channel pitch.

To request a full data sheet, please send an email to: onet2804t_request@ti.com.





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* Data sheet ONET2804T 28 Gbps 4-Channel Limiting TIA datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2018/03/26

설계 및 개발

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DIESALE (Y)

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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