MOSFETs
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Die NexFET™-MOSFETs von TI bieten eine breite Palette von N-Kanal- und P-Kanal-Leistungsmodulen und diskreten Stromversorgungslösungen. Unsere hochintegrierten MOSFETs unterstützen höhere Wirkungsgrade, längere Batterielebensdauer, höhere Leistungsdichte und höhere Frequenzen für schnelles Schalten. Diese Vorteile bieten Designflexibilität in kleinen Formfaktoren und ermöglichen es Entwicklungsingenieuren, die Markteinführungszeit zu verkürzen.
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Die nicht geklemmte induktive Schaltleistung (UIS) hat sich als nützlicher Parameter erwiesen, seit sie Mitte der 1980er Jahre in MOSFET-Datenblättern vorgestellt wurde. Während das wiederholte Avalanchen des FET in tatsächlichen Anwendungen nicht empfohlen wird, haben Ingenieure gelernt, diese Metrik zu verwenden, um zu vermeiden, dass schwächere Geräte eingebaut werden, die Probleme verursachen könnten.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
Der MOSFET SOA kann anhand von 5 verschiedenen Beschränkungen verwendet werden: Widerstand, Strom, maximale Leistung, thermische Instabilität und MOSFET-Spannung. Informationen zur Interpretation von SOA-Kurven finden Sie auf einem MOSFET-Datenblatt.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
Erfahren Sie, dass MOSFET-Stromwerte nicht so gemessen werden, wie Parameter wie RDS(ON)und Gate-Ladung. Sie werden berechnet und man kann auf verschiedene Arten zu einem Ergebnis kommen.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
Informationen zu anderen Schaltparametern, die im MOSFET Datenblatt auftreten und ihre Bedeutung (oder fehlende Bedeutung) im Bezug auf die Geräteleistung.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
Die Leistung eines MOSFET im Schaltkreis hängt stark von der thermischen Leistung des Bausteins ab.
Erfahren Sie mehr zu Parametern der gesamten transienten Wärmeimpedanz und der inneren transienten Wärmeimpedanz auf einem FET-Datenblatt. Hier erfahren Sie auch, wie diese Werte abgeleitet werden.
MOSFET Support and Training Tools (Rev. G)
MOSFET 101
Understanding MOSFET data sheets, part 6 – thermal impedance
Erfahren Sie, wie Sie ganz schnell Größe, Kosten und Leistung abwägen können, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen. Ein Experte für TI-MOSFET-Anwendungen erläutert ein Beispiel für die vielen anwendungsbasierten MOSFET-Leistungsverlust-Tools.