JAJSXH0 November   2025 AMC1200C

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件 -
    4. 5.4  熱に関する情報 (DWV パッケージ)
    5. 5.5  熱に関する情報 (DUB パッケージ)
    6. 5.6  電力定格
    7. 5.7  絶縁仕様
    8. 5.8  安全関連認証
    9. 5.9  安全限界値 (DWV パッケージ)
    10. 5.10 安全限界値 (DUB パッケージ)
    11. 5.11 電気的特性
    12. 5.12 スイッチング特性
    13. 5.13 タイミング図
    14. 5.14 絶縁特性曲線
    15. 5.15 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 アナログ入力
      2. 6.3.2 絶縁チャネルの信号伝送
      3. 6.3.3 アナログ出力
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 入力フィルタの設計
        2. 7.2.2.2 差動からシングルエンドへの出力変換
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 設計のベスト プラクティス
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.5.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.11 電気的特性

最小および最大仕様は、TA = –40°C ～ +125°C、VDD1 = 3.0V ～ 5.5V、VDD2 = 3.0V ～ 5.5V、VINP = –250mV ～ +250mV、および VINN = 0V に適用されます。標準仕様は、TA = 25°C、VDD1 = 5V、および VDD2 = 3.3V (特に明記されていない限り) で測定されます
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
アナログ入力
CIN 実効入力サンプリング容量 1.8 pF
RIN 入力インピーダンス 25 27.5 30 kΩ
IINP 入力電流 VIN = (VINP – VINN) = VFSR, MAX 9 μA
IINN 入力電流 VIN = (VINP – VINN) = VFSR, MAX -9 μA
CMTI 同相過渡耐性 |GND1 – GND2| = 1kV 150 V/ns
アナログ出力
公称ゲイン 8 V/V
VCMout 同相出力電圧 1.39 1.44 1.49 V
VCLIPout クリッピング差動出力電圧 VOUT = (VOUTP – VOUTN);
|VIN| = |VINP – VINN| > |VClipping|		 -2.52 ±2.49 2.52 V
VFAILSAFE フェイルセーフ差動出力電圧 VDD1 が見つかりません -2.63 -2.57 2.53 V
ROUT 出力抵抗 OUTP または OUTN の場合 <0.2 Ω
出力短絡検出電流 OUTP または OUTN で、ソースまたはシンク、
INN = INP = GND1 で、
出力は GND2 または VDD2 に短絡しています		 11 mA
DC 精度 
VOS オフセット電圧(1)(2) TA = 25°C、INP = INN = GND1 -0.2 ±0.01 0.2 mV
TCVOS オフセット ドリフト(1)(2)(4) -2 ±0.25 2 μV/℃
EG ゲイン誤差(1) TA = 25℃ -0.25% ±0.04% 0.25%
TCEG ゲイン ドリフト(1)(5) -35 ±5 35 ppm/℃
非線形性 -0.04% 0.04%
出力ノイズ電圧 INP = INN = GND1、fIN = 0Hz、
BW = 100kHz ブリックウォール フィルタ		 400 μVRMS
CMRR 同相除去比 fIN = 0Hz、VCM min ≤ VCM ≤ VCM max -100 dB
fIN = 10kHz、VCM min ≤ VCM ≤ VCM max -87
PSRR 電源除去比(2) VDD1 DC PSRR、INP = INN = GND1、
VDD1 を 3V ～ 5.5V に		 -89 dB
VDD1 AC PSRR、INP = INN = GND1、
VDD1、10kHz/100mV リップル		 -78
VDD2 DC PSRR、INP = INN = GND1、
VDD2 を 3V ～ 5.5V に		 -110
VDD2 AC PSRR、INP = INN = GND1、
VDD2、10kHz/100mV リップル		 -79
AC 精度
BW 出力帯域幅 250 280 kHz
THD 全高調波歪(3) fIN = 10kHz -82 dB
SNR 信号対雑音比 fIN = 1kHz、BW = 10kHz 80.5 85 dB
fIN = 10kHz、BW = 100kHz 77
電源
IDD1 ハイサイド電源電流 5.4 6.7 mA
IDD2 ローサイド電源電流 6.4 9.9 mA
VDD1UV ハイサイド低電圧検出スレッショルド VDD1 の立ち上がり 2.5 2.6 2.7 V
VDD1 の立ち下がり  1.9 2.0 2.1
VDD2UV ローサイドの低電圧検出スレッショルド VDD2 の立ち上がり 2.3 2.5 2.7 V
VDD2 の立ち下がり 1.9 2.05 2.2
(1) 標準値には、公称動作条件での 1 つの標準偏差 (シグマ) が含まれます。
(2) このパラメータは入力換算です。
(3) THD は、最初の 5 つの高次高調波の振幅の rms 合計と、基本波の振幅との比です。
(4) オフセット誤差温度ドリフトは、次の式で説明されるボックス法を使用して計算されます。
TCVOS = (VOS,MAX - VOS,MIN) / TempRange、ここで、VOS,MAX および OS,MIN は、温度範囲 (–40 〜 125℃) で測定された最大および最小 VOS 値を指します。
(5) ゲイン誤差の温度ドリフトは、次の式で記述されるボックス法を使用して計算されます。
TCEG (ppm) = ((EG,MAX - EG,MIN) / TempRange) x 104 、ここで、EG,MAX および EG,MINは、温度範囲 (-40 ～ 125℃) で測定された最大および最小 EG 値 (%) を表します。