JAJSEG1D January   2018  – October 2023 CSD16401Q5

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Revision History
  6. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  7. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 サポート・リソース
    3. 6.3 Trademarks
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 用語集
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 25V、1.3mΩ、SON 5mm × 6mm の SON NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

GUID-BBBA2351-D7DC-4884-B816-BFAC2208A777-low.gif上面図
製品概要
TA = 25℃値単位
VDSドレイン - ソース間電圧25V
Qgゲートの合計電荷 (4.5V)21nC
Qgdゲート電荷、ゲート - ドレイン間5.2nC
RDS(on)ドレイン - ソース間
オン抵抗		VGS = 4.5V1.8mΩ
VGS = 10V1.3
VGS(th)スレッショルド電圧1.5V
製品情報(1)
デバイスメディア数量パッケージ出荷形態
CSD16401Q513 インチ・リール2500SON
5.00mm × 6.00mm
プラスチック・パッケージ		テープ・アンド・リール
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃値単位
VDSドレイン - ソース間電圧25V
VGSゲート - ソース間電圧-12～16V
ID連続ドレイン電流 (パッケージ制限)100A
連続ドレイン電流 (シリコン制限)、
TC = 25℃		261
連続ドレイン電流(1)38
IDMパルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2)240A
PD消費電力(1)3.1W
消費電力、TC = 25℃156
TJ、
Tstg		動作時の接合部温度、
保存温度		–55～150℃
EASアバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 100A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		500mJ
(1) 0.06in (1.52mm) 厚の FR4 PCB 上に構築された面積 1in2 (6.45cm2)、2oz (0.071mm) 厚の Cu パッドで、標準 RθJA = 40℃/W の場合
(2) 最大 RθJC = 0.8℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
GUID-0FB08D0E-C14D-48D2-82C1-76F524D8E866-low.gifRDS(on) と VGS との関係
GUID-F5967199-6A6A-4E88-8D41-1EDC230CAA81-low.gifゲート電荷