JAJSCJ3 October 2016 CSD17581Q3A
PRODUCTION DATA.
1 特長
- 低いQgおよびQgd
- 低いRDS(on)
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛フリー
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
2 アプリケーション
- ネットワーク、テレコム、コンピューティング・システム・アプリケーション用のポイント・オブ・ロード(POL)同期整流降圧型コンバータ
- モータ制御アプリケーション
- 制御FETアプリケーション用に最適化
3 概要
この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
上面図
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製品概要
| TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷(4.5V) | 20 | nC | |
| Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 | 4 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 3.9 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.2 | mΩ | ||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 1.3 | V | |
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製品情報(1)
| デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17581Q3A | 13インチ・リール | 2500 | SON 3.30mm×3.30mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD17581Q3AT | 7インチ・リール | 250 |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25°C | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 30 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 60 | A |
| 連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 101 | ||
| 連続ドレイン電流(1) | 21 | ||
| IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 154 | A |
| PD | 消費電力(1) | 2.8 | W |
| 消費電力、TC = 25°C | 63 | ||
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保管温度 |
–55～150 | °C |
| EAS | アバランシュ・エネルギー、単一パルス ID = 39A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
76 | mJ |
- 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 45℃/W
- 最大RθJC = 2℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
RDS(on)とVGSとの関係 |
ゲート電荷 |