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CSD17581Q3A

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3mm x 3mm のシングル SON、4.7mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 4.7 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 20 QGD (typ) (nC) 4 QGS (typ) (nC) 6.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 101 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 4.7 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 20 QGD (typ) (nC) 4 QGS (typ) (nC) 6.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 101 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • 低いQgおよびQgd
  • 低いRDS(on)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリー
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ

アプリケーション

  • ネットワーク、テレコム、コンピューティング・システム・アプリケーション用のポイント・オブ・ロード(POL)同期整流降圧型コンバータ
  • モータ制御アプリケーション
  • 制御FETアプリケーション用に最適化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低いQgおよびQgd
  • 低いRDS(on)
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この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
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設計と開発

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