CSD17581Q3A

アクティブ

3mm x 3mm のシングル SON 封止、4.7mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 154 QG typ (nC) 20 QGD typ (nC) 4 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 101 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.7 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.8 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 154 QG typ (nC) 20 QGD typ (nC) 4 Package (mm) SON3x3 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 101 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes
  • 低いQgおよびQgd
  • 低いRDS(on)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリー
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ

アプリケーション

  • ネットワーク、テレコム、コンピューティング・システム・アプリケーション用のポイント・オブ・ロード(POL)同期整流降圧型コンバータ
  • モータ制御アプリケーション
  • 制御FETアプリケーション用に最適化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低いQgおよびQgd
  • 低いRDS(on)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリー
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ

アプリケーション

  • ネットワーク、テレコム、コンピューティング・システム・アプリケーション用のポイント・オブ・ロード(POL)同期整流降圧型コンバータ
  • モータ制御アプリケーション
  • 制御FETアプリケーション用に最適化

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この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

この30V、3.2mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD17581Q3A 30V NチャネルNexFET™パワーMOSFET データシート PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2016年 11月 2日
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アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

BQ25960EVM — BQ25960 I2C 制御、1 セル、8A、スイッチト・キャパシタ並列バッテリ・チャージャの評価基板

BQ25960EVM 評価基板 (EVM) は、多様なスマートフォンとタブレットが搭載している 1 セルのリチウムイオン / リチウムポリマ・バッテリを対象とする、WCSP パッケージに封止の高集積スイッチト・キャパシタ・バッテリ・チャージャである BQ25960 を評価するための包括的なチャージャ・モジュールです。BQ25960EVM は、高速充電に対応する包括的な充電ソリューションを提示します。代表的な使用方法は、降圧チャージャ BQ25611D のプリチャージと充電終了機能を利用しながら、実現可能な最大級の効率を達成できるように、BQ25960 (...)
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
シミュレーション・モデル

CSD17581Q3A Unencrypted PSpice Model

SLPM343.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 同期整流方式昇圧コンバータの電力損失計算ツール

同期昇圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
計算ツール

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 同期整流用の電力損失計算ツール

同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ
パッケージ ピン数 ダウンロード
(DNH) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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