JAJSMV8F October   2013  – January 2022 CSD25483F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 Glossary
  7. 7Mechanical Data
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 CSD25483F4 Embossed Carrier Tape Dimensions

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 210mΩ、20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するように設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

標準的なデバイス寸法

製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 –20 V
Qg 総ゲート電荷量 (–4.5V) 959 pC
Qgd ゲート - ドレイン間のゲート電荷量 161 pC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = –1.8V 530 mΩ
VGS = –2.5V 338 mΩ
VGS = –4.5V 210 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 –0.95 V

注文情報(1)
デバイス数量メディアパッケージ出荷形態
CSD25483F430007 インチ・リールFemto (0402)
1.00mm × 0.60mm
LGA (Land Grid Array)		テープ・アンド・リール
CSD25483F4T250
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 –20 V
VGS ゲート - ソース間電圧 –12 V
ID 連続ドレイン電流(1) –1.6 A
IDM パルス・ドレイン電流(2) -6.5 A
IG 連続ゲート・クランプ電流 –35 mA
パルス・ゲート・クランプ電流(2) –350
PD 消費電力(1) 500 mW
V(ESD) 人体モデル (HBM) 4 kV
デバイス帯電モデル (CDM) 2 kV
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 –55～150 ℃
(1) 厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上に形成された面積 1 平方インチ (6.45cm2)、
2 オンス (0.071mm 厚) の Cu パッド上で、標準値 RθJA = 85℃/W です。
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%
上面図