CSD25483F4
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 1mm のシングル LGA、245mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD25483F4
- 非常に低いオン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 大きな動作時ドレイン電流
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型プロファイル
- 最大の高さ：0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 4kV 超
- CDM 定格 2kV 超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 210mΩ、20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するように設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD25483F4 20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. F 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2022/06/07 |
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025/11/18 | |
| アプリケーション概要 | パワー MOSFET のリーク電流の推定 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025/11/07 | |
| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025/05/08 | |
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |||
| アプリケーション・ノート | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023/12/14 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |||
| 設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 |
設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。