JAJSDT0 September   2017 CSD87503Q3E

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
    2.     回路イメージ
    3.     RDD(on)とVGSとの関係
  4. 4改訂履歴
  5. 5 Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q3パッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

CSD87503Q3Eは30V、13.5mΩの共通ソース、デュアルNチャネル・デバイスで、USB Type-C/PDおよびバッテリ保護用に設計されています。SON 3.3×3.3mmのデバイスで、ドレイン間のオン抵抗が低く、損失が最小化されるため、容積の制限されるアプリケーションで部品数を減らすために役立ちます。

上面図

CSD87503Q3E TopView.gif

回路イメージ

CSD87503Q3E Dev_Schem.gif

製品概要

TA = 25°C値単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷(4.5V) 13.4 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 5.8 nC
RDD(on) ドレイン間のオン抵抗 VGS = 4.5V 17.3 mΩ
VGS = 10V 13.5
VGS(th) スレッショルド電圧 1.7 V

製品情報(1)

デバイス数量メディアパッケージ出荷
CSD87503Q3E 2500 13インチ・リール SON
3.30mm×3.30mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
CSD87503Q3ET 250 7インチ・リール
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C値単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID1, D2 連続ドレイン間電流(パッケージによる制限) 10 A
IDS 連続ドレイン-ソース間電流(パッケージによる制限) 1.5 A
ID1, D2M パルス・ドレイン間電流(1) 89 A
PD 消費電力(2) 2.6 W
PD 消費電力、TC = 25℃ 15.6 W
TJ、
Tstg		 動作時の接合部、
保管温度		 –55～150 °C
  1. 最大RθJC = 8℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
  2. 0.06in (1.52mm)厚のFR4 PCB上の面積1in2 (6.45cm2)、2oz (0.071mm)厚のCuパッドで、標準RθJA = 50℃/Wの場合

RDD(on)とVGSとの関係

CSD87503Q3E D007_SLPS661.gif