データシート
CSD87503Q3E
- デュアルNチャネルの共通ソースMOSFET
- 5Vゲートの駆動に最適化
- 低い熱抵抗
- 低いQgおよびQgd
- 鉛フリーの端子メッキ処理
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
CSD87503Q3Eは30V、13.5mΩの共通ソース、デュアルNチャネル・デバイスで、USB Type-C/PDおよびバッテリ保護用に設計されています。SON 3.3×3.3mmのデバイスで、ドレイン間のオン抵抗が低く、損失が最小化されるため、容積の制限されるアプリケーションで部品数を減らすために役立ちます。
技術資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
9 をすべて表示
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD87503Q3E 30V NチャネルNexFET™パワーMOSFET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2017/09/22 |
| アプリケーション・ノート | MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025/11/18 | |
| アプリケーション概要 | パワー MOSFET のリーク電流の推定 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025/11/07 | |
| アプリケーション・ノート | 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2025/05/08 | |
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |||
| アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/12/06 | |||
| アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |||
| アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |||
| アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
サポート・ソフトウェア
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSON (DTD) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。