1 特長

車載アプリケーション向けの AEC-Q100 テスト・ガイダンス
- デバイスの周囲温度：-40℃～+150℃
機能安全準拠予定
- 機能安全アプリケーション向けに開発
- ISO 26262 システムの設計に役立つ資料を製品リリース時に提供予定
- ASIL D までを対象の決定論的対応能力
3 相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- 6 個の N チャネル MOSFET (NMOS) を駆動
- 4.5～60V の広い動作電圧範囲
- ハイサイド・ゲート・ドライバのブートストラップ・アーキテクチャ
- 100% PWM デューティ・サイクルをサポートし、オーバードライブ電源を生成するチャージ・ポンプ
スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 45 レベルで構成可能な最大 1000 / 2000mA (ソース / シンク) のピーク・ゲート・ドライブ電流
ローサイド電流検出アンプ
- 全温度範囲にわたって 1mV 未満の低入力オフセット
- 9 レベルの可変ゲイン
SPI ベースの詳細な構成と診断
ドライバを個別にディセーブルする DRVOFF ピン
高電圧ウェークアップ・ピン (nSLEEP)
複数の PWM インターフェイス・オプションを利用可能
- 6x、3x、1x PWM モード
- SPI 経由の PWM
3.3V と 5V のロジック入力電圧をサポート
リセット設定用のオプションのプログラム可能な OTP
高度で構成可能な保護機能
- バッテリおよび電源電圧モニタ
- 位相フィードバック・コンパレータ
- MOSFET V_DS および R_sense 過電流監視
- MOSFET V_GS ゲート・フォルト監視
- 内部レギュレータおよびクロック・モニタ
- アナログ内蔵セルフ・テスト (ABIST)
- デバイス熱警告とシャットダウン
- フォルト状態インジケータ・ピン