JAJSJP6B August   2018  – August 2021 DRV8350F , DRV8353F

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成と機能
    1.     ピン機能 — 32 ピン DRV8350F デバイス
    2.     8
    3.     ピン機能 — 40 ピン DRV8353F デバイス
    4.     10
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 SPI のタイミング要件
    7. 7.7 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 3 相スマート・ゲート・ドライバ
        1. 8.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM モード (PWM_MODE = 00b または MODE ピンを AGND に接続)
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM モード (PWM_MODE = 01b または MODE ピンを 47kΩ の抵抗を介して AGND に接続)
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM モード (PWM_MODE = 10b または MODE ピン = Hi-Z)
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM モード (PWM_MODE = 11b または MODE ピンを DVDD に接続)
        2. 8.3.1.2 デバイス・インターフェイス・モード
          1. 8.3.1.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 ハードウェア・インターフェイス
        3. 8.3.1.3 ゲート・ドライバ電源と入力電源の構成
        4. 8.3.1.4 スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET スルーレート制御
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET ゲート駆動制御
          3. 8.3.1.4.3 伝搬遅延
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 監視
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 検出および基準電圧ピン
      2. 8.3.2 DVDD リニア電圧レギュレータ
      3. 8.3.3 ピン構造図
      4. 8.3.4 ローサイド電流シャント・アンプ (DRV8353F)
        1. 8.3.4.1 双方向電流検出の動作
        2. 8.3.4.2 単方向電流検出の動作 (SPI のみ)
        3. 8.3.4.3 アンプの較正モード
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 検出モード (SPI のみ)
      5. 8.3.5 ゲート・ドライバ保護回路
        1. 8.3.5.1 VM 電源および VDRAIN 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.5.2 VCP チャージ・ポンプと VGLS レギュレータの低電圧誤動作防止 (GDUV)
        3. 8.3.5.3 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
          1. 8.3.5.3.1 VDS ラッチ・シャットダウン (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.3.2 VDS 自動リトライ (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.3.3 VDS 通知のみ (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.3.4 VDS ディスエーブル (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.5.4 VSENSE 過電流保護 (SEN_OCP)
          1. 8.3.5.4.1 VSENSE ラッチ・シャットダウン (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.4.2 VSENSE 自動リトライ (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.4.3 VSENSE 通知のみ (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.4.4 VSENSE ディスエーブル (OCP_MODE = 11b または DIS_SEN = 1b)
        5. 8.3.5.5 ゲート・ドライバのフォルト (GDF)
        6. 8.3.5.6 過電流ソフト・シャットダウン (OCP ソフト)
        7. 8.3.5.7 過熱警告 (OTW)
        8. 8.3.5.8 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        9. 8.3.5.9 フォルト応答表
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ゲート・ドライバの機能モード
        1. 8.4.1.1 スリープ・モード
        2. 8.4.1.2 動作モード
        3. 8.4.1.3 フォルト・リセット (CLR_FLT または ENABLE リセット・パルス)
    5. 8.5 プログラミング
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI フォーマット
    6. 8.6 レジスタ・マップ
      1. 8.6.1 ステータス・レジスタ
        1. 8.6.1.1 フォルト・ステータス・レジスタ 1 (アドレス = 0x00h)
        2. 8.6.1.2 フォルト・ステータス・レジスタ 2 (アドレス = 0x01h)
      2. 8.6.2 制御レジスタ
        1. 8.6.2.1 ドライバ制御レジスタ (アドレス = 0x02h)
        2. 8.6.2.2 ゲート駆動 HS レジスタ (アドレス = 0x03h)
        3. 8.6.2.3 ゲート駆動 LS レジスタ (アドレス = 0x04h)
        4. 8.6.2.4 OCP 制御レジスタ (アドレス = 0x05h)
        5. 8.6.2.5 CSA 制御レジスタ (DRV8353F のみ) (アドレス = 0x06h)
        6. 8.6.2.6 ドライバ構成レジスタ (DRV8353F のみ) (アドレス = 0x07h)
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 主要アプリケーション
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET のサポート
            1. 9.2.1.2.1.1 MOSFET の例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE の設定
            1. 9.2.1.2.2.1 IDRIVE の例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 過電流監視の設定
            1. 9.2.1.2.3.1 VDS 過電流の例
          4. 9.2.1.2.4 検出アンプの双方向設定 (DRV8353F)
            1. 9.2.1.2.4.1 検出アンプの例
          5. 9.2.1.2.5 シングル電源の消費電力
          6. 9.2.1.2.6 シングル電源の消費電力の例
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 代替アプリケーション
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 検出アンプの単方向設定
            1. 9.2.2.2.1.1 検出アンプの例
            2. 9.2.2.2.1.2 デュアル電源の消費電力
            3. 9.2.2.2.1.3 デュアル電源の消費電力の例
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量の決定
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトの注意点
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 デバイス命名規則
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 関連リンク
    4. 12.4 Receiving Notification of Documentation Updates
    5. 12.5 サポート・リソース
    6. 12.6 商標
    7. 12.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 12.8 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 電気的特性

TA = -40℃～+125℃、VVM = 9～75V、VVDRAIN = 9～100V、VVIN = 48V (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源 (DVDD、VCP、VGLS、VM)
IVM VM 動作電源電流 VVM = VVDRAIN = 48V、ENABLE = 3.3V、INHx/INLx = 0V 8.5 13 mA
IVDRAIN VDRAIN 動作電源電流 VVM = VVDRAIN = 48V、ENABLE = 3.3V、INHx/INLx = 0V 1.9 4 mA
ISLEEP スリープ・モード電源電流 ENABLE = 0V、VVM = VVDRAIN = 48V、TA = 25℃ 20 40 µA
ENABLE = 0V、VVM = VVDRAIN = 48V、TA = 125℃ 100
tRST リセット・パルス時間 フォルトをリセットするのに必要な ENABLE = 0V の期間 5 40 µs
tWAKE ターンオン時間 VVM > VUVLO、出力を準備完了にするのに必要な ENABLE = 3.3V の期間 1 ms
tSLEEP ターンオフ時間 デバイスをスリーブ・モードに移行させるのに必要な ENABLE = 0V の期間 1 ms
VDVDD DVDD レギュレータ電圧 IDVDD = 0～10mA 4.75 5 5.25 V
VVCP VCP 動作電圧
(VDRAIN 基準)		 VVM = 15V、IVCP = 0～25mA 9 10.5 12 V
VVM = 12V、IVCP = 0～20mA 7.5 10 11.5
VVM = 10V、IVCP = 0～15mA 6 8 9.5
VVM = 9V、IVCP = 0～10mA 5.5 7.5 8.5
VVGLS VGLS 動作電圧
(GND 基準)		 VVM = 15V、IVGLS = 0～25mA 13 14.5 16 V
VVM = 12V、IVGLS = 0～20mA 10 11.5 12.5
VVM = 10V、IVGLS = 0～15mA 8 9.5 10.5
VVM = 9V、IVGLS = 0～10mA 7 8.5 9.5
論理レベル入力 (ENABLE、INHx、INLx、nSCS、SCLK、SDI)
VIL 入力論理 Low 電圧 0 0.8 V
VIH 入力論理 High 電圧 1.5 5.5 V
VHYS 入力論理ヒステリシス 100 mV
IIL 入力論理 Low 電流 VVIN = 0V -5 5 µA
IIH 入力論理 High 電流 VVIN = 5V 50 70 µA
RPD プルダウン抵抗 対 GND 100 kΩ
tPD 伝搬遅延 INHx/INLx の遷移から GHx/GLx の遷移まで 200 ns
4 レベル H/W 入力 (GAIN、MODE)
VI1 入力モード 1 電圧 GND に接続 0 V
VCOMP1 クワッドレベル電圧コンパレータ 1 VI1 と VI2 の間の電圧コンパレータ 1.156 1.256 1.356 V
VI2 入力モード 2 電圧 47kΩ ± 5% で GND に接続 1.9 V
VCOMP2 クワッドレベル電圧コンパレータ 1 VI2 と VI3 の間の電圧コンパレータ 2.408 2.508 2.608 V
VI3 入力モード 3 電圧 Hi-Z 3.1 V
VCOMP3 クワッドレベル電圧コンパレータ 3 VI3 と VI4 の間の電圧コンパレータ 3.614 3.714 3.814 V
VI4 入力モード 4 電圧 DVDD に接続 5 V
RPU プルアップ抵抗 DVDD に内部プルアップ 50 kΩ
RPD プルダウン抵抗 GND に内部プルダウン 84 kΩ
7 レベル H/W 入力 (IDRIVE、VDS)
VI1 入力モード 1 電圧 GND に接続 0 V
VCOMP1 7 レベル電圧コンパレータ 1 VI1 と VI2 の間の電圧コンパレータ 0.057 0.157 0.257 V
VI2 入力モード 2 電圧 18kΩ ± 5% で GND に接続 0.8 V
VCOMP2 7 レベル電圧コンパレータ 2 VI2 と VI3 の間の電圧コンパレータ 1.158 1.258 1.358 V
VI3 入力モード 3 電圧 75kΩ ± 5% で GND に接続 1.7 V
VCOMP3 7 レベル電圧コンパレータ 3 VI3 と VI4 の間の電圧コンパレータ 2.257 2.357 2.457 V
VI4 入力モード 4 電圧 Hi-Z 2.5 V
VCOMP4 7 レベル電圧コンパレータ 4 VI4 と VI5 の間の電圧コンパレータ 2.561 2.661 2.761 V
VI5 入力モード 5 電圧 75kΩ ± 5% で DVDD に接続 3.3 V
VCOMP5 7 レベル電圧コンパレータ 5 VI5 と VI6 の間の電圧コンパレータ 3.615 3.715 3.815 V
VI6 入力モード 6 電圧 18kΩ ± 5% で DVDD に接続 4.2 V
VCOMP6 7 レベル電圧コンパレータ 6 VI6 と VI7 の間の電圧コンパレータ 4.75 4.85 4.95 V
VI7 入力モード 7 電圧 DVDD に接続 5 V
RPU プルアップ抵抗 DVDD に内部プルアップ 73 kΩ
RPD プルダウン抵抗 GND に内部プルダウン 73 kΩ
オープン・ドレイン出力 (nFAULT、SDO)
VOL 出力論理 Low 電圧 IO = 5mA 0.125 V
IOZ ハイ・インピーダンス出力リーク VO = 5V -2 2 µA
ゲート・ドライバ (GHx、GLx)
VGSH ハイサイド・ゲート駆動電圧
(SHx 基準)		 VVM = 15V、IVCP = 0～25mA 9 10.5 12 V
VVM = 12V、IVCP = 0～20mA 7.5 10 11.5
VVM = 10V、IVCP = 0～15mA 6 8 9.5
VVM = 9V、IVCP = 0～10mA 5.5 7.5 8.5
VGSL ローサイド・ゲート駆動電圧
(PGND 基準)		 VVM = 15V、IVGLS = 0～25mA 9.5 11 12.5 V
VVM = 12V、IVGLS = 0～20mA 9 10.5 12
VVM = 10V、IVGLS = 0～15mA 7.5 9 10.5
VVM = 9V、IVGLS = 0～10mA 6.5 8 9.5
tDEAD ゲート駆動
デッド・タイム		 SPI デバイス DEAD_TIME = 00b 50 ns
DEAD_TIME = 01b 100
DEAD_TIME = 10b 200
DEAD_TIME = 11b 400
H/W デバイス 100
tDRIVE ピーク電流
ゲート駆動時間		 SPI デバイス TDRIVE = 00b 500 ns
TDRIVE = 01b 1000
TDRIVE = 10b 2000
TDRIVE = 11b 4000
H/W デバイス 4000
IDRIVEP ピーク・ソース
ゲート電流		 SPI デバイス IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0000b 50 mA
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0001b 50
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0010b 100
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0011b 150
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0100b 300
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0101b 350
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0110b 400
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 0111b 450
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1000b 550
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1001b 600
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1010b 650
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1011b 700
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1100b 850
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1101b 900
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1110b 950
IDRIVEP_HS または IDRIVEP_LS = 1111b 1000
H/W デバイス IDRIVE = GND に接続 50
IDRIVE = 18kΩ ± 5% で GND に接続 100
IDRIVE = 75kΩ ± 5% で GND に接続 150
IDRIVE = Hi-Z 300
IDRIVE = 75kΩ ± 5% で DVDD に接続 450
IDRIVE = 18kΩ ± 5% で DVDD に接続 700
IDRIVE = DVDD に接続 1000
IDRIVEN ピーク・シンク
ゲート電流		 SPI デバイス IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0000b 100 mA
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0001b 100
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0010b 200
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0011b 300
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0100b 600
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0101b 700
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0110b 800
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 0111b 900
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1000b 1100
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1001b 1200
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1010b 1300
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1011b 1400
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1100b 1700
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1101b 1800
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1110b 1900
IDRIVEN_HS または IDRIVEN_LS = 1111b 2000
H/W デバイス IDRIVE = GND に接続 100
IDRIVE = 18kΩ ± 5% で GND に接続 200
IDRIVE = 75kΩ ± 5% で GND に接続 300
IDRIVE = Hi-Z 600
IDRIVE = 75kΩ ± 5% で DVDD に接続 900
IDRIVE = 18kΩ ± 5% で DVDD に接続 1400
IDRIVE = DVDD に接続 2000
IHOLD ゲート保持電流 tDRIVE 後のソース電流 50 mA
tDRIVE 後のシンク電流 100
ISTRONG ゲート強プルダウン電流 GHx から SHx、GLx から SPx/SLx 2 A
ROFF ゲート・オフ保持抵抗 GHx から SHx、GLx から SPx/SLx 150 kΩ
電流シャント・アンプ (SNx、SOx、SPx、VREF)
GCSA アンプのゲイン SPI デバイス CSA_GAIN = 00b 4.85 5 5.15 V/V
CSA_GAIN = 01b 9.7 10 10.3
CSA_GAIN = 10b 19.4 20 20.6
CSA_GAIN = 11b 38.8 40 41.2
H/W デバイス GAIN = GND に接続 4.85 5 5.15
GAIN = 47kΩ ± 5% で GND に接続 9.7 10 10.3
GAIN = Hi-Z 19.4 20 20.6
GAIN = DVDD に接続 38.8 40 41.2
tSET ±1% までのセトリング・タイム VO_STEP = 0.5V、GCSA = 5V/V 250 ns
VO_STEP = 0.5V、GCSA = 10V/V 500
VO_STEP = 0.5V、GVSA = 20V/V 1000
VO_STEP = 0.5V、GCSA = 40V/V 2000
VCOM コモン・モード入力範囲 -0.15 0.15 V
VDIFF 差動モード入力範囲 -0.3 0.3 V
VOFF 入力オフセット誤差 VSP = VSN = 0V -3 3 mV
VDRIFT オフセット・ドリフト VSP = VSN = 0V 10 µV/℃
VLINEAR SOx 出力電圧の直線範囲 0.25 VVREF – 0.25 V
VBIAS SOx 出力電圧バイアス SPI デバイス VSP = VSN = 0V、VREF_DIV = 0b VVREF – 0.3 V
VSP = VSN = 0V、VREF_DIV = 1b VVREF / 2
H/W デバイス VSP = VSN = 0V VVREF / 2
IBIAS SPx/SNx 入力バイアス電流 250 µA
VSLEW SOx 出力スルーレート 60pF 負荷 10 V/µs
IVREF VREF 入力電流 VVREF = 5V 1.5 2.5 mA
UGB ユニティ・ゲイン帯域幅 DRV835xF：60pF 負荷 10 MHz
DRV835xFR：60pF 負荷 1 MHz
保護回路
VVM_UV VM 低電圧誤動作防止 DRV835xF：VM 立ち下がり、UVLO 通知 8.0 8.3 8.8 V
DRV835xF：VM 立ち上がり、UVLO 復帰 8.2 8.5 9.0
DRV835xFR：VM 立ち下がり、UVLO 通知 8.0 8.3 8.6
DRV835xFR：VM 立ち上がり、UVLO 復帰 8.2 8.5 8.8
VVM_UVH VM 低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 200 mV
tVM_UVD VM 低電圧グリッチ除去時間 VM 立ち下がり、UVLO 通知 10 µs
VVDR_UV VDRAIN 低電圧誤動作防止 DRV835xF：VDRAIN 立ち下がり、UVLO 通知 6.1 6.4 6.8 V
DRV835xF：VDRAIN 立ち上がり、UVLO 復帰 6.3 6.6 7.0
DRV835xFR：VDRAIN 立ち下がり、UVLO 通知 6.1 6.4 6.7
DRV835xFR：VDRAIN 立ち上がり、UVLO 復帰 6.3 6.6 6.9
VVDR_UVH VDRAIN 低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 200 mV
tVDR_UVD VDRAIN 低電圧グリッチ除去時間 VDRAIN 立ち下がり、UVLO 通知 10 µs
VVCP_UV VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 VCP 立ち下がり、GDUV 通知 VDRAIN + 5 V
VVGLS_UV VGLS ローサイド・レギュレータ低電圧誤動作防止 VGLS 立ち下がり、GDUV 通知 4.25 V
VGS_CLAMP ハイサイド・ゲート・クランプ 正のクランプ電圧 12.5 13.5 16 V
負のクランプ電圧 -0.7
VVDS_OCP VDS 過電流
トリップ電圧		 SPI デバイス DRV835xF：VDS_LVL = 0000b 0.041 0.06 0.072 V
DRV835xF：VDS_LVL = 0001b 0.051 0.07 0.084
DRV835xF：VDS_LVL = 0010b 0.061 0.08 0.096
DRV835xF：VDS_LVL = 0011b 0.071 0.09 0.108
DRV835xF：VDS_LVL = 0100b 0.081 0.1 0.115
DRV835xFR：VDS_LVL = 0000b 0.048 0.06 0.072
DRV835xFR：VDS_LVL = 0001b 0.056 0.07 0.084
DRV835xFR：VDS_LVL = 0010b 0.064 0.08 0.096
DRV835xFR：VDS_LVL = 0011b 0.072 0.09 0.108
DRV835xFR：VDS_LVL = 0100b 0.085 0.1 0.115
VDS_LVL = 0101b 0.18 0.2 0.22
VDS_LVL = 0110b 0.27 0.3 0.33
VDS_LVL = 0111b 0.36 0.4 0.44
VDS_LVL = 1000b 0.45 0.5 0.55
VDS_LVL = 1001b 0.54 0.6 0.66
VDS_LVL = 1010b 0.63 0.7 0.77
VDS_LVL = 1011b 0.72 0.8 0.88
VDS_LVL = 1100b 0.81 0.9 0.99
VDS_LVL = 1101b 0.9 1.0 1.1
VDS_LVL = 1110b 1.35 1.5 1.65
VDS_LVL = 1111b 1.8 2 2.2
H/W デバイス DRV835xF：VDS = GND に接続 0.041 0.06 0.072 V
DRV835xF：VDS = 18kΩ ± 5% で GND に接続 0.081 0.1 0.115
DRV835xFR：VDS = GND に接続 0.048 0.06 0.072
DRV835xFR：VDS = 18kΩ ± 5% で GND に接続 0.085 0.1 0.115
VDS = 75kΩ ± 5% で GND に接続 0.18 0.2 0.22
VDS = ハイ・インピーダンス 0.36 0.4 0.44
VDS = 75kΩ ± 5% で DVDD に接続 0.63 0.7 0.77
VDS = 18kΩ ± 5% で DVDD に接続 0.9 1 1.1
VDS = DVDD に接続 ディスエーブル
tOCP_DEG VDS および VSENSE 過電流グリッチ除去時間 SPI デバイス OCP_DEG = 00b 1 µs
OCP_DEG = 01b 2
OCP_DEG = 10b 4
OCP_DEG = 11b 8
H/W デバイス 4
VSEN_OCP VSENSE 過電流トリップ電圧 SPI デバイス SEN_LVL = 00b 0.25 V
SEN_LVL = 01b 0.5
SEN_LVL = 10b 0.75
SEN_LVL = 11b 1
H/W デバイス 1
tRETRY 過電流リトライ時間 SPI デバイス TRETRY = 0b 8 ms
TRETRY = 1b 50 μs
H/W デバイス 8 ms
TOTW 過熱警告温度 ダイ温度、TJ 130 150 170 ℃
TOTSD 過熱シャットダウン温度 ダイ温度、TJ 150 170 190 ℃
THYS 熱ヒステリシス ダイ温度、TJ 20 ℃