JAJSKW9 December   2020 DRV8434S

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1. 5.1 端子機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 ステッピング制御ロジック・タイミング要件
      1. 6.7.1 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ステッピング・モータ・ドライバの電流定格
        1. 7.3.1.1 ピーク電流定格
        2. 7.3.1.2 RMS 電流定格
        3. 7.3.1.3 フルスケール電流定格
      2. 7.3.2  PWM モータ・ドライバ
      3. 7.3.3  マイクロステッピング・インデクサ
      4. 7.3.4  MCU DAC による VREF の制御
      5. 7.3.5  電流レギュレーション
      6. 7.3.6  ディケイ・モード
        1. 7.3.6.1 電流増加および減少でスロー・ディケイ
        2. 7.3.6.2 電流増加ではスロー・ディケイ、電流減少ではミックス・ディケイ
        3. 7.3.6.3 電流増加ではスロー・ディケイ、電流減少ではファースト・ディケイ
        4. 7.3.6.4 電流増加および減少でミックス・ディケイ
        5. 7.3.6.5 スマート・チューン・ダイナミック・ディケイ
        6. 7.3.6.6 スマート・チューン・リップル・コントロール
      7. 7.3.7  PWM オフ時間
      8. 7.3.8  ブランキング時間
      9. 7.3.9  チャージ･ポンプ
      10. 7.3.10 リニア電圧レギュレータ
      11. 7.3.11 論理レベル、トライレベル、クワッドレベルのピン構造図
        1. 7.3.11.1 nFAULT ピン
      12. 7.3.12 保護回路
        1. 7.3.12.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.12.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.12.3 過電流保護 (OCP)
          1. 7.3.12.3.1 ラッチド・シャットダウン (OCP_MODE = 0b)
          2. 7.3.12.3.2 自動リトライ (OCP_MODE = 1b)
        4. 7.3.12.4 ストール検出
        5. 7.3.12.5 開放負荷検出 (OL)
        6. 7.3.12.6 過熱警告 (OTW)
        7. 7.3.12.7 サーマル・シャットダウン (OTSD)
          1. 7.3.12.7.1 ラッチド・シャットダウン (OTSD_MODE = 0b)
          2. 7.3.12.7.2 自動復帰 (OTSD_MODE = 1b)
        8.       フォルト条件のまとめ
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 スリープ・モード (nSLEEP = 0)
      2.      56
      3. 7.4.2 ディセーブル・モード (nSLEEP = 1、ENABLE = 0)
      4. 7.4.3 動作モード (nSLEEP = 1、ENABLE = 1)
      5. 7.4.4 nSLEEP リセット・パルス
      6.      機能モードのまとめ
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) 通信
        1. 7.5.1.1 SPI フォーマット
        2. 7.5.1.2 1 つのターゲット・デバイスのための SPI
        3. 7.5.1.3 デイジー・チェーン構成の複数のターゲット・デバイスのための SPI
        4. 7.5.1.4 パラレル構成の複数のターゲット・デバイスのための SPI
    6. 7.6 レジスタ・マップ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ステッピング・モータの速度
        2. 8.2.2.2 電流レギュレーション
        3. 8.2.2.3 ディケイ・モード
        4. 8.2.2.4 アプリケーション曲線
        5. 8.2.2.5 熱に関連する計算
          1. 8.2.2.5.1 消費電力
          2. 8.2.2.5.2 導通損失
          3. 8.2.2.5.3 スイッチング損失
          4. 8.2.2.5.4 静止電流による消費電力
          5. 8.2.2.5.5 全消費電力
          6. 8.2.2.5.6 デバイスの接合部温度の概算
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク・コンデンサ
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
      1. 10.1.1 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 用語集
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

標準値は TA = 25℃、VVM = 24V での値です。特に記述のない限り、すべての限界値は推奨動作条件の全範囲を満たすものとします。
パラメータテスト条件最小標準最大単位
電源 (VM、DVDD)
IVMVM 動作電源電流ENABLE = 1、nSLEEP = 1、モータ負荷なし56.5mA
IVMQVM スリープ・モード電源電流nSLEEP = 024μA
tSLEEPスリープ時間nSLEEP = 0 でスリープモード

120

μs
tRESETnSLEEP リセット・パルスnSLEEP = Low でフォルトをクリア

20

40

μs
tWAKEウェークアップ時間nSLEEP = 1 で出力遷移0.81.2ms
tONターンオン時間VM > UVLO で出力遷移0.81.2ms

tEN

イネーブル時間

ENABLE = 0/1 で出力遷移

5

μs
VDVDD内部レギュレータ電圧外部負荷なし、

6V < VVM < 48V

4.7555.25V
外部負荷なし、

VVM = 4.5V

4.2

4.35

V

チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
VVCPVCP 動作電圧6V < VVM < 48VVVM +5V
f(VCP)チャージ・ポンプ・スイッチング周波数VVM > UVLO、nSLEEP = 1360kHz
論理レベル入力 (STEP、DIR、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、ENABLE)
VIL入力論理 Low 電圧00.6V
VIH入力論理 High 電圧1.55.5V
VHYS入力論理ヒステリシス150mV
IIL1入力論理 Low 電流 (nSCS)VIN = 0V812μA
IIL入力論理 Low 電流 (その他のピン)VIN = 0V–11μA
IIH1入力論理 High 電流 (nSCS)VIN = DVDD500nA
IIH入力論理 High 電流 (その他のピン)VIN = 5V100μA
プッシュプル出力 (SDO)
RPD,SDO内部プルダウン抵抗5mA 負荷、GND 基準30

60

Ω
RPU,SDO内部プルアップ抵抗5mA 負荷、VSDO 基準3060Ω
ISDOSDO リーク電流SDO = VSDO および 0V-11μA
制御出力 (nFAULT)
VOL出力論理 Low 電圧IO = 5mA0.5V
IOH出力論理 High リーク電流–11μA
モータ・ドライバ出力 (AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2)
RDS(ON)ハイサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = -1A165200mΩ
TJ = 125℃、IO = -1A250300mΩ
TJ = 150℃、IO = -1A280350mΩ
RDS(ON)ローサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = 1A165200mΩ
TJ = 125℃、IO = 1A250300mΩ
TJ = 150℃、IO = 1A280350mΩ
tSR出力スルーレートVVM = 24V、IO = 1A、10% と 90% の間240V/µs
PWM 電流制御 (VREF)
KVトランスインピーダンス・ゲインVREF = 3.3V1.2541.321.386V/A

IVREF

VREF リーク電流

VREF = 3.3V

8.25

µA
tOFFPWM オフ時間TOFF = 00b7μs
TOFF = 01b16
TOFF = 10b24
TOFF = 11b32
ΔITRIP電流トリップ精度0.25A < IO < 0.5A–1212%
0.5A < IO < 1A-6

6

1A < IO < 2.5A–4

4

IO,CHAOUT と BOUT の電流マッチングIO = 2.5A-2.52.5%
保護回路
VUVLOVM 低電圧誤動作防止 (UVLO)VM 立ち下がり、UVLO 立ち下がり4.14.254.35V
VM 立ち上がり、UVLO 立ち上がり4.24.354.45
VUVLO,HYS低電圧ヒステリシス立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド100mV
VRSTVM 低電圧誤動作防止 (UVLO) リセットVM 立ち下がり、デバイス・リセット、SPI 通信なし3.9V
VCPUVチャージ・ポンプ低電圧VCP 立ち下がり、CPUV 通知VVM + 2V
IOCP過電流保護FET を流れる電流4A
tOCP過電流グリッチ除去時間2μs
tRETRY過電流リトライ時間OCP_MODE = 1b4ms
tOL開放負荷検出時間EN_OL = 1b50ms
IOL開放負荷電流スレッショルドEN_OL = 1b75mA
TOTW過熱警告ダイ温度 TJ135150165°C
TOTSDサーマル・シャットダウンダイ温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD過熱保護閾値ヒステリシスダイ温度 TJ20°C
THYS_OTW過熱警告ヒステリシスダイ温度 TJ20°C