JAJSHH8 データシート

JAJSHH8B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1

PRODUCTION DATA

パッケージ・オプション

6.5 電気的特性

4.5V ≤ V_VM ≤ 37V、-40℃ ≤ T_J ≤ 150℃ (特に記述のない限り)

パラメータ		テスト条件	最小値	標準値	最大値	単位
電源 (VCP、VM)
I_VMQ	VM スリープ・モード電流	V_VM = 13.5V、nSLEEP = 0V、T_J = 25℃		0.75	1	µA
I_VMQ	VM スリープ・モード電流	nSLEEP = 0V			5	µA
I_VM	VM アクティブ・モード電流	V_VM = 13.5V、nSLEEP = 5V、 EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		3	7	mA
t_WAKE	ターンオン時間	V_VM > V_UVLO、nSLEEP = 5V でアクティブ			1	ms
t_SLEEP	ターンオフ時間	nSLEEP = 0V でスリープ・モード			1	ms
V_VCP	チャージ・ポンプ・レギュレータ電圧	VM で決まる VCP、V_VM = 13.5V		5		V
f_VCP	チャージ・ポンプ・スイッチング周波数			400		kHz
論理レベル入力 (EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP)
V_IL	入力論理 Low 電圧	V_VM < 5V	0		0.7	V
V_IL	入力論理 Low 電圧	V_VM ≥ 5V	0		0.8	V
V_IH	入力論理 High 電圧		1.5		5.5	V
V_HYS	入力ヒステリシス			200		mV
V_HYS	入力ヒステリシス	nSLEEP		50		mV
I_IL	入力論理 Low 電流	V_I = 0V	-5		5	µA
I_IH	入力論理 High 電流	V_I = 5V		50	75	µA
R_PD	入力プルダウン抵抗	対 GND		100		kΩ
トライレベル入力 (PMODE)
V_TIL	トライレベル入力論理 Low 電圧		0		0.65	V
V_TIZ	トライレベル入力 Hi-Z 電圧	4.5V < V_VM < 5.5V	0.9	1.0	1.1	V
V_TIZ	トライレベル入力 Hi-Z 電圧	5.5V < V_VM < 37V	0.9	1.1	1.2	V
V_TIH	トライレベル入力論理 High 電圧		1.5		5.5	V
I_TIL	トライレベル入力論理 Low 電流	V_I = 0V	-50	-32		µA
I_TIZ	トライレベル入力 Hi-Z 電流	V_I = 1.1V	-10		10	µA
I_TIH	トライレベル入力論理 High 電流	V_I = 5V		113	150	µA
R_TPD	トライレベル・プルダウン抵抗	対 GND		44		kΩ
R_TPU	トライレベル・プルアップ抵抗	対内部 5V		156		kΩ
クワッドレベル入力 (IMODE)
V_QI2	クワッドレベル入力レベル 1	クワッドレベル 1 に設定する電圧	0		0.45	V
R_QI2	クワッドレベル入力レベル 2	クワッドレベル 2 を設定するための対 GND 抵抗	18.6	20	21.4	kΩ
R_QI3	クワッドレベル入力レベル 3	クワッドレベル 3 を設定するための対 GND 抵抗	57.6	62	66.4	kΩ
V_QI4	クワッドレベル入力レベル 4	クワッドレベル 4 を設定するための電圧	2.5		5.5	V
R_QPD	クワッドレベル・プルダウン抵抗	対 GND		136		kΩ
R_QPU	クワッドレベル・プルアップ抵抗	対内部 5V		68		kΩ
オープン・ドレイン出力 (nFAULT)
V_OL	出力論理 Low 電圧	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	出力論理 High 電流	V_OD = 5V	-2		2	µA
ドライバ出力 (OUT1、OUT2)
R_{DS(on)_HS}	ハイサイド MOSFET オン抵抗	V_VM = 13.5V、I_O = 2A、T_J = 25℃		100	120	mΩ
R_{DS(on)_HS}	ハイサイド MOSFET オン抵抗	V_VM = 13.5V、I_O = 2A、T_J = 150℃		160	190	mΩ
R_{DS(on)_LS}	ローサイド MOSFET オン抵抗	V_VM = 13.5V、I_O = -2A、T_J = 25℃		100	120	mΩ
R_{DS(on)_LS}	ローサイド MOSFET オン抵抗	V_VM = 13.5V、I_O = -2A、T_J = 150℃		160	190	mΩ
V_SD	ボディ・ダイオード順方向電圧	I_SD = 1A		0.9		V
t_RISE	出力立ち上がり時間	V_VM = 13.5V、OUTx が 10% から 90% まで立ち上がる時間		500		ns
t_FALL	出力立ち下がり時間	V_VM = 13.5V、OUTx が 90% から 10% まで立ち下がる時間		500		ns
t_PD	入力から出力までの伝搬遅延	(EN/IN1、PH/IN2) から OUTx まで、OUTx から GND に 200Ω を接続		1.75		µs
t_DEAD	出力デッドタイム	ボディ・ダイオード導通		750		ns
電流センスおよびレギュレーション (IPROPI、VREF)
A_IPROPI	電流ミラー・スケーリング係数			450		µA/A
A_ERR⁽¹⁾	電流ミラー・スケーリング誤差	I_OUT < 0.4A、 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-30		30	mA
		0.4A ≤ I_OUT < 1A、 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-7.5		7.5	%
		1A ≤ I_OUT < 2A、 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-6		6
		2A ≤ I_OUT < 4A、 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-5.5		5.5
t_OFF	電流レギュレーション・オフ時間			25		µs
t_DELAY	電流検出遅延時間			6		µs
t_DEG	電流レギュレーション・グリッチ除去時間			1.7		µs
t_BLK	電流レギュレーション・ブランキング時間			2.7		µs
保護回路
V_UVLO	電源低電圧誤動作防止 (UVLO)	V_VM 立ち上がり	4.3	4.45	4.6	V
V_UVLO	電源低電圧誤動作防止 (UVLO)	V_VM 立ち下がり	4.2	4.35	4.5	V
V_{UVLO_HYS}	電源 UVLO ヒステリシス			100		mV
t_UVLO	電源低電圧グリッチ除去時間			10		µs
V_CPUV	チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止	VCP は VM で決まる、V_VCP 立ち下がり		2.25		V
I_OCP	過電流保護トリップ・ポイント		6	10		A
t_OCP	過電流保護グリッチ除去時間			3		µs
t_RETRY	過電流保護リトライ時間			2		ms
T_TSD	サーマル・シャットダウン温度		160	175	190	℃
T_HYS	サーマル・シャットダウン・ヒステリシス			20		℃

(1) 低電流時、ローサイド・パワー MOSFET を流れる I_OUT 電流に対して IPROPI 出力は固定のオフセット誤差を持っています。

図 6-1 タイミング・パラメータ図

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

サーマルパッド・メカニカル・データ

発注情報

6.5 電気的特性