Changes from Revision * (March 1998) to Revision A (January 2024)

• ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
• 「ESD 定格」、「推奨動作条件」、「熱に関する情報」、「アプリケーションと実装」、「代表的なアプリケーション」、「デバイスおよびドキュメントのサポート 」、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」の各セクションを追加 Go
• データシート全体にわたって SOL パッケージ名を SOIC に変更Go
• 「特長」の「低オフセット電圧」と「低ドリフト」の箇条書き項目に「高ゲインの場合」を追加 Go
• 「特長」で低ドリフトの箇条書き項目の値を 0.25µV/℃から 0.3µV/℃に変更 Go
• 「アプリケーション」の箇条書き項目を更新 Go
• 「絶対最大定格」においてシンボルを追加 Go
• 「絶対最大定格」でデュアル電源と単一電源を示すように電源電圧を変更 Go
• 「絶対最大定格」で「入力電圧範囲」を「信号入力ピン」に変更 Go
• 「絶対最大定格」に信号出力電圧を追加 Go
• 「絶対最大定格」で、出力短絡を「グランド」から「V_S /2」に変更Go
• DW (SOIC) パッケージの周囲熱抵抗の値を追加Go
• P (PDIP) パッケージの周囲熱抵抗値を 80℃/W から 110.2℃/W に変更Go
• 電気的特性に欠けていたシンボルを追加 Go
• オフセット電圧の最大値を ±50 + 100/G から ±50 + 150/G に変更Go
• 「オフセット電圧と温度との関係」から「オフセット電圧ドリフト」へ変更。Go
• オフセット電圧ドリフトのテスト条件を T_A = T_MIN から T_MAX から T _A = –40℃ ～ +85℃ に変更Go
• オフセット電圧ドリフトの最大値を ±0.25 + 5/G から ±0.3 + 5/G に変更Go
• 電気的特性から安全入力電圧を削除 Go
• 同相入力範囲を動作入力電圧に変更Go
• 「オフセット電圧と電源電圧の関係」を「電源除去比」に変更Go
• 「バイアス電流と温度との関係」を「入力バイアス電流ドリフト」に変更Go
• 入力バイアス電流ドリフトに「T_A = –40℃ ～ +85℃」のテスト条件を追加Go
• 「オフセット電流と温度との関係」を「入力オフセット電流ドリフト」に変更Go
• 入力オフセット電流ドリフトに「T_A = –40℃ ～ +85℃」のテスト条件を追加Go
• ゲイン誤差に「V_O = ±10V」のテスト条件を追加Go
• 「ゲインと温度との関係」を「ゲイン ドリフト」に変更Go
• ゲインの非直線性に「V_O = –10V ～ +10V」のテスト条件を追加Go
• 出力電圧の値を ±13.5 (最小値) および ±13.7 (標準値) から (V–) + 1.5 (最小値) および (V+) - 1.5 (最大値) に変更Go
• 出力電圧のテスト条件を T_MIN から T_MAX から T_A = –40℃ ～ +85℃ に変更Go
• V_S = ±11.4V、V_S = ±2.25V の出力電圧テスト条件を追加Go
• セトリング タイムに V_STEP = 10V のテスト条件を追加Go
• 電源電圧範囲の標準値 ±15V を削除Go
• 電圧範囲、動作温度範囲、熱抵抗を「電気的特性」から「推奨動作条件」および「熱に関する情報」に移動 Go
• 図 5-6、入力換算電圧ノイズ電圧と周波数との関係を変更 Go
• 図 5-10、入力バイアス電流と差動入力電圧の関係を更新 Go
• 図 5-11、入力バイアス電流と同相入力電圧との関係を更新 Go
• 図 5-19 ～ 図 22、小信号および大信号応答のプロットを更新Go