JAJSAF4E September   2005  – November 2016 LM5005

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 High-Voltage Start-Up Regulator
      2. 7.3.2 Shutdown and Standby
      3. 7.3.3 Oscillator and Synchronization Capability
      4. 7.3.4 Error Amplifier and PWM Comparator
      5. 7.3.5 RAMP Generator
      6. 7.3.6 Current Limit
      7. 7.3.7 Soft-Start Capability
      8. 7.3.8 MOSFET Gate Driver
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Shutdown Mode
      2. 7.4.2 Standby Mode
      3. 7.4.3 Light-Load Operation
      4. 7.4.4 Thermal Shutdown Protection
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Reducing Bias Power Dissipation
      2. 8.1.2 Input Voltage UVLO Protection
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1  Frequency Set Resistor (RT)
        2. 8.2.2.2  Inductor (LF)
        3. 8.2.2.3  Ramp Capacitor (CRAMP)
        4. 8.2.2.4  Output Capacitors (COUT)
        5. 8.2.2.5  Schottky Diode (DF)
        6. 8.2.2.6  Input Capacitors (CIN)
        7. 8.2.2.7  VCC Capacitor (CVCC)
        8. 8.2.2.8  Bootstrap Capacitor (CBST)
        9. 8.2.2.9  Soft Start Capacitor (CSS)
        10. 8.2.2.10 Feedback Resistors (RFB1 and RFB2)
        11. 8.2.2.11 RC Snubber (RS and CS)
        12. 8.2.2.12 Compensation Components (RC1, CC1, CC2)
        13. 8.2.2.13 Bill of Materials
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 PCB Layout for EMI Reduction
      2. 10.1.2 Thermal Design
      3. 10.1.3 Ground Plane Design
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
    2. 11.2 デバイス・サポート
      1. 11.2.1 開発サポート
    3. 11.3 ドキュメントのサポート
      1. 11.3.1 関連資料
        1. 11.3.1.1 RCBレイアウトについてのリソース
        2. 11.3.1.2 熱設計についてのリソース
    4. 11.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 11.5 コミュニティ・リソース
    6. 11.6 商標
    7. 11.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 11.8 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11 デバイスおよびドキュメントのサポート

11.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項

デベロッパー・ネットワークの製品またはサービスに関するTIの出版物は、単独またはTIの製品、サービスと一緒に提供される場合に関係なく、デベロッパー・ネットワークの製品またはサービスの適合性に関する是認、デベロッパー・ネットワークの製品またはサービスの是認の表明を意味するものではありません。

11.2 デバイス・サポート

11.2.1 開発サポート

開発サポートについては、以下を参照してください。

  • TIのリファレンス・デザイン・ライブラリについては、TI Designsを参照してください。
  • TIのWEBENCH設計環境については、WEBENCH®設計センターを参照してください。

11.3 ドキュメントのサポート

11.3.1 関連資料

関連資料については、以下を参照してください。

11.3.1.1 RCBレイアウトについてのリソース

11.3.1.2 熱設計についてのリソース

11.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

11.5 コミュニティ・リソース

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help solve problems with fellow engineers.
    Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and contact information for technical support.

11.6 商標

PowerPAD, E2E are trademarks of Texas Instruments.

WEBENCH is a registered trademark of TI.

All other trademarks are the property of their respective owners.

11.7 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

11.8 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.