JAJSC47I June   2011  – October 2019 LM5113

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      アプリケーション概略図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Input and Output
      2. 8.3.2 Start-Up and UVLO
      3. 8.3.3 HS Negative Voltage and Bootstrap Supply Voltage Clamping
      4. 8.3.4 Level Shift
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 VDD Bypass Capacitor
        2. 9.2.2.2 Bootstrap Capacitor
        3. 9.2.2.3 Power Dissipation
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Examples
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4 改訂履歴

Changes from H Revision (January 2018) to I Revision

  • データシートのタイトルから「NRND」を削除Go
  • NRDN 公開声明を削除Go

Changes from G Revision (January 2016) to H Revision

  • データシートのタイトルを「LM5113 100V、1.2A/5A、エンハンスメント・モード GaN FET 用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ」から「LM5113 80V、1.2V、5A、ハーフブリッジ GaN ドライバ」に変更Go
  • データシートに「新規設計用に推奨されていません」の注意事項を追加Go
  • 「概要」セクションに内容を追加Go
  • 表紙のキー・グラフィックを変更 Go
  • Removed HB to VDD parameter from the Absolute Maximum Ratings tableGo
  • Changed the HS to VSS maximum from: 100 V to: 93 VGo
  • Changed the HB to VSS maximum from: 107 V to: V(HS) + 7 VGo
  • Changed the human-body model value from: ±2000 to: ±1000Go
  • Changed HS maximum from: 100 V to: 90 V Go
  • Changed the Functional Block DiagramGo
  • Changed the last paragraph and add new images to the Input and Output section Go
  • Added content to the Start-up and UVLO section Go

Changes from F Revision (April 2013) to G Revision

  • 「ESD定格」の表、「機能説明」、「デバイスの機能モード」、「アプリケーションと実装」、「電源に関する推奨事項」、「レイアウト」、「デバイスとドキュメントのサポート」、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」を追加Go

Changes from E Revision (April 2013) to F Revision

  • ナショナル セミコンダクターのデータシートのレイアウトを TI 形式に変更Go