JAJSM84C December   2022  – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル ゲート制御 (DMATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 過電流保護 (CS+、CS-、ILIM、IMON、TMR)
        1. 8.3.3.1 パルス過負荷保護機能、サーキット ブレーカ
        2. 8.3.3.2 ラッチオフ付き過電流保護
        3. 8.3.3.3 短絡保護 (ISCP)
        4. 8.3.3.4 アナログ電流モニタ出力 (IMON)
      4. 8.3.4 低電圧保護、過電圧保護、バッテリ電圧センシング (UVLO、OV、SW)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 超低静止電流 (IQ) シャットダウン (EN)
      2. 8.4.2 低静止電流 (IQ) SLEEP モード (SLEEP)
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的な 12V バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 電流センス抵抗、RSNS の選択
        6. 9.2.3.6 スケーリング抵抗 (RSET) と短絡保護設定抵抗 (RSCP) の選択
        7. 9.2.3.7 過電流制限 (ILIM)、サーキット ブレーカ タイマ (TMR)、電流監視出力 (IMON) の選択
        8. 9.2.3.8 過電圧保護とバッテリ監視
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 LM749x0-Q1 を使用した車載入力逆接続バッテリ保護トポロジへの対応
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RGE|24
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.4.1 過渡保護

過電圧カットオフ、逆電流ブロック、過電流カットオフ、EN による電流フローの中断などの条件中に外部 MOSFET がオフになると、入力ライン インダクタンスによって入力に正の電圧スパイクが発生し、出力インダクタンスによって出力に負の電圧スパイクが発生します。電圧スパイク (過渡現象) のピーク振幅は、デバイスの入力または出力に存在する直列インダクタンスの値に依存します。この問題に何らかの策を講じない場合は、こうした過渡現象によって、デバイスの絶対最大定格を超える可能性があります。

過渡現象に対処する一般的な方法は、以下のとおりです。

  • デバイスの入出力において、リード長を短くしインダクタンスを最小限に抑える。
  • PCB には、大きい GND プレーンを使用する。
  • 出力と GND の間にショットキー ダイオードを配置して、負のスパイクを吸収する。
  • 低値のセラミック コンデンサ (約 0.1μF までの C(IN)) を使用して、エネルギーを吸収し、過渡現象を減衰させる。

入力容量の近似値は、式 8 を使用して推定できます。

式 18. LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1

ここで、

  • V(IN) は公称電源電圧
  • I(LOAD) は負荷電流
  • L(IN) はソースから見た実効インダクタンスに等しい値
  • C(IN) は入力に存在する容量

一部のアプリケーションでは、過渡状態においてデバイスの絶対最大定格を超えないように、過渡電圧サプレッサ (TVS) を追加する必要があります。これらの過渡は、車載用 ISO7637 パルスなどの EMC テスト中に発生する可能性があります。

LM74900-Q1 LM74910-Q1 LM74910H-Q1 代表的なアプリケーションの図図 9-27 代表的なアプリケーションの図