JAJS814F August   2000  – February 2024 LMC6492 , LMC6494

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4ピン構成および機能
  6. 5仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6アプリケーションと実装
    1. 6.1 アプリケーション情報
      1. 6.1.1 入力同相電圧範囲
      2. 6.1.2 レール ツー レール出力
      3. 6.1.3 入力容量の補償
      4. 6.1.4 容量性負荷の許容誤差
    2. 6.2 代表的なアプリケーション
      1. 6.2.1 アプリケーション回路
    3. 6.3 レイアウト
      1. 6.3.1 レイアウトのガイドライン
        1. 6.3.1.1 高インピーダンス回路のためのプリント基板のレイアウト
  8. 7デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 7.1 デバイス サポート
      1. 7.1.1 開発サポート
        1. 7.1.1.1 SPICE マクロモデル
        2. 7.1.1.2 PSpice® for TI
        3. 7.1.1.3 TINA-TI™シミュレーション・ソフトウェア (無償ダウンロード)
        4. 7.1.1.4 DIP アダプタ評価基板
        5. 7.1.1.5 DIYAMP-EVM
        6. 7.1.1.6 TI のリファレンス・デザイン
        7. 7.1.1.7 フィルタ設計ツール
    2. 7.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 7.3 サポート・リソース
    4.     商標
    5. 7.4 静電気放電に関する注意事項
    6. 7.5 用語集
  9. 8改訂履歴
  10. 9メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) LMC6492 LMC6494 単位
D (SOIC) D (SOIC)
8 ピン 14 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 128.9 83.0 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗  68.6 42.7 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 72.4 42.4 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 19.7 7.0 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 71.6 42.0 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし 該当なし ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。