JAJSLV7A October   2022  – December 2022 LMG2610

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. Revision History
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
    1. 7.1 GaN Power FET Switching Parameters
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  GaN Power FET Switching Capability
      2. 8.3.2  Turn-On Slew-Rate Control
      3. 8.3.3  Current-Sense Emulation
      4. 8.3.4  Bootstrap Diode Function
      5. 8.3.5  Input Control Pins (EN, INL, INH)
      6. 8.3.6  INL - INH Interlock
      7. 8.3.7  AUX Supply Pin
        1. 8.3.7.1 AUX Power-On Reset
        2. 8.3.7.2 AUX Under-Voltage Lockout (UVLO)
      8. 8.3.8  BST Supply Pin
        1. 8.3.8.1 BST Power-On Reset
        2. 8.3.8.2 BST Under-Voltage Lockout (UVLO)
      9. 8.3.9  Over-Current Protection
      10. 8.3.10 Over-Temperature Protection
      11. 8.3.11 Fault Reporting
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Turn-On Slew-Rate Design
        2. 9.2.2.2 Current-Sense Design
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
        1. 9.4.1.1 Solder-Joint Stress Relief
        2. 9.4.1.2 Signal-Ground Connection
        3. 9.4.1.3 CS Pin Signal
      2. 9.4.2 Layout Example
  10. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Documentation Support
      1. 10.1.1 Related Documentation
    2. 10.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 Trademarks
    5. 10.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 10.6 Glossary
  11. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • RRG|40
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

LMG2610 は、スイッチ・モード電源アプリケーションの 75W 未満のアクティブ・クランプ・フライバック (ACF) コンバータに適した 650V GaN パワー FET ハーフブリッジです。LMG2610 は、ハーフブリッジ・パワー FET、ゲート・ドライバ、ブートストラップ・ダイオード、ハイサイド・ゲート・ドライブ・レベル・シフタを 9mm x 7mm の QFN パッケージに統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基板面積の低減を実現しています。

GaN FET の非対称の抵抗値は、ACF の動作条件に合わせて最適化されています。プログラマブルなターンオン・スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサーマル・パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。

ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタにより、外付けソリューションに見られるノイズとバースト・モード電力消費の問題を解消できます。スマート・スイッチ付き GaN ブートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷がありません。

LMG2610 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト・モード動作に対応しています。保護機能には、FET ターンオン・インターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。

製品情報
部品番号 パッケージ (1) 本体サイズ (公称)
LMG2610 QFN 9.00mm × 7.00mm

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