JADS074 データシート

JADS074 February 2026 TLV2886

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メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

D|8
- MSOI002K

サーマルパッド・メカニカル・データ

発注情報

jads074_oa

7.1.1 ノイズの基本的な計算

低ノイズ回路設計では、すべてのノイズ源を慎重に分析する必要があります。多くの場合、外部ノイズ源が支配的な要素になることがあるため、ソース抵抗がオペアンプのノイズ性能全体に与える影響を考慮します。回路全体のノイズは、すべてのノイズ要素の二乗和平方根に等しくなります。

ソースインピーダンスの抵抗の部分では、抵抗の平方根に比例する熱ノイズが発生します。ソースインピーダンスは一般に固定されているため、ノイズ全体への寄与を最小限に抑えるオペアンプおよび帰還抵抗を選定します。

図 7-1 は、ゲインが存在する非反転型オペアンプ回路構成を示しています。図 7-2 は、ゲインが存在する反転型オペアンプ回路構成を示しています。ゲインが存在する回路構成では、帰還ネットワーク抵抗もノイズの原因となります。一般に、オペアンプの電流ノイズは帰還抵抗に反応して、追加のノイズを発生させます。ただし、TLVx886 の電流ノイズは低いため、電流ノイズの寄与は無視できます。

一般的には、帰還抵抗の値を選択して、これらのノイズ発生源を無視できる程度まで下げることができます。低インピーダンスの帰還抵抗は、アンプの出力に負荷をかけます。両方の構成について、合計ノイズの計算式を示します。

ノイズ計算に関する追加リソースについては、TI Precision Labs を参照してください。

図 7-1 非反転型ゲイン構成のノイズの計算

式 1.

E_{o} = e_{o} \sqrt{{B W}_{N}} [V_{R M S}]

式 2.

e_{o} = (1 + \frac{R_{2}}{R_{1}}) \sqrt{{e_{S}}^{2} + {e_{N}}^{2} + {(e_{R_{1} | | R_{2}})}^{2} + {(i_{N} R_{S})}^{2} + {(i_{N} \frac{R_{1} R_{2}}{R_{1} + R_{2}})}^{2}} [\frac{V}{\sqrt{H z}}]

式 3.

e_{S} = \sqrt{4 k_{B} T (K) R_{S}} [\frac{V}{\sqrt{H z}}]

式 4.

e_{R_{1} | | R_{2}} = \sqrt{4 k_{B} T (K) (\frac{R_{1} R_{2}}{R_{1} + R_{2}})} [\frac{V}{\sqrt{H z}}]

式 5.

k_{B} = 1.38065 \times 10^{- 23} [\frac{J}{K}]

式 6.

T (K) = 2.37.15 + T (° C) [K]

ここで

e_N はアンプの電圧ノイズスペクトル密度。TLVx886 の場合、e_n = 10.5nV/√Hz (1kHz 時)
i_n はアンプの電流ノイズスペクトル密度。TLVx886 の場合、i_n = 200fA/√Hz (1kHz 時)
e_o は合計ノイズ密度
e_S は、R_S の熱ノイズ
e_{R₁ || R₂} は、R₁ || R₂ の熱ノイズ
k_B はボルツマン定数
T(K) は温度 (ケルビン)

図 7-2 反転型ゲイン構成のノイズの計算

式 7.

E_{o} = e_{o} \sqrt{{B W}_{N}} [V_{R M S}]

式 8.

e_{o} = (1 + \frac{R_{2}}{R_{S} + R_{1}}) \sqrt{{e_{N}}^{2} + {(e_{R_{1} + R_{S} | | R_{2}})}^{2} + {(i_{N} \frac{(R_{S} + R_{1}) R_{2}}{R_{S} + R_{1} + R_{2}})}^{2}} [\frac{V}{\sqrt{H z}}]

式 9.

e_{R_{1} + R_{S} | | R_{2}} = \sqrt{4 k_{B} T (K) (\frac{(R_{S} + R_{1}) R_{2}}{R_{S} + R_{1} + R_{2}})} [\frac{V}{\sqrt{H z}}]

式 10.

k_{B} = 1.38065 \times 10^{- 23} [\frac{J}{K}]

式 11.

T (K) = 2.37.15 + T (° C) [K]

ここで

を参照してください。

e_N はアンプの電圧ノイズスペクトル密度。TLVx886 の場合、e_n = 10.5nV/√Hz (1kHz 時)
i_n はアンプの電流ノイズスペクトル密度。TLVx886 の場合、i_n = 200fA/√Hz (1kHz 時)
e_o は合計ノイズ密度
e_S は、R_S の熱ノイズ
e_{(R₁ + R_S) || R₂} は (R₁ + R_S) || R₂ の熱ノイズ
k_B はボルツマン定数
T(K) は温度 (ケルビン)