JAJSC54E May   2006  – January 2024 TPS28225

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 6.3.2 Output Active Low
      3. 6.3.3 Enable/Power Good
      4. 6.3.4 3-State Input
        1. 6.3.4.1 TPS28225 3-State Exit Mode
        2. 6.3.4.2 External Resistor Interference
      5. 6.3.5 Bootstrap Diode
      6. 6.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 6.3.7 Dead-Time Control
      8. 6.3.8 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Four Phases Driven by TPS28225 Driver
        2. 7.2.2.2 Switching The MOSFETs
        3. 7.2.2.3 List of Materials
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 System Examples
  9. 8 Power Supply Recommendations
  10. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

TPS28225 は、適応型デッド タイム制御機能を備えた、N チャネル相補型パワー MOSFET 用の高速ドライバです。さまざまな種類の1相および多相の高電流DC-DCコンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28225 は、高効率、小型、低 EMI 放射を実現するソリューションです。

この効率は、最大 8.8V のゲート駆動電圧、14ns の適応型デッド タイム制御、14ns の伝播遅延、2A ソースおよび 4A シンクの高電流駆動能力によって実現されています。ローサイド ゲート ドライバの 0.4Ω のインピーダンスによってパワー MOSFET のゲートをスレッショルド未満に保持し、高い dV/dt 位相ノード遷移で貫通電流が生じないようにしています。内部ダイオードによって充電されるブートストラップ コンデンサにより、NチャネルMOSFETをハーフブリッジ構成で使用することができます。

製品情報
部品番号パッケージ(1)本体サイズ (公称)
TPS28225D (SOIC 8)4.90mm×3.91mm
DRB (VSON 8)3.00mm × 3.00mm
(1) 供給されているすべてのパッケージについては、セクション 12 を参照してください。
GUID-75CEDFEE-8D2A-4D65-A0A2-1741EF42F324-low.gif概略回路図