JAJS189T January   2006  – December 2023 TPS737

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagrams
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Output Noise
      2. 6.3.2 Internal Current Limit
      3. 6.3.3 Enable Pin and Shutdown
      4. 6.3.4 Reverse Current
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 7.2.2.2 Dropout Voltage
        3. 7.2.2.3 Transient Response
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 Best Design Practices
    4. 7.4 Power Supply Recommendations
    5. 7.5 Layout
      1. 7.5.1 Layout Guidelines
        1. 7.5.1.1 Power Dissipation
        2. 7.5.1.2 Thermal Protection
        3. 7.5.1.3 Estimating Junction Temperature
      2. 7.5.2 Layout Example
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 Development Support
        1. 8.1.1.1 Evaluation Modules
        2. 8.1.1.2 Spice Models
      2. 8.1.2 Device Nomenclature
    2. 8.2 Documentation Support
      1. 8.2.1 Related Documentation
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 Trademarks
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DCQ|6
  • DRV|6
  • DRB|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 1µF 以上のセラミック出力コンデンサにより安定
  • 入力電圧範囲：2.2V～5.5V
  • 非常に低いドロップアウト電圧
    • レガシー シリコン：1A において 130mV (標準値)
    • 新しいシリコン、M3 接尾辞：1A において 122 mV (標準値)
  • わずか 1µF の出力コンデンサでも優れた負荷過渡応答
  • NMOS トポロジにより、低い逆リーク電流を実現
  • 初期精度：1%
  • ライン、負荷、温度にわたる全体の精度
    • レガシー シリコン：3%
    • 新しいシリコン、M3 接尾辞：1.5%
  • シャットダウン モード時の IQ：20nA 未満 (標準値)
  • サーマル シャットダウンおよび電流制限によるフォルト保護
  • 複数の出力電圧バージョンが利用可能：
    • 調整可能な出力：1.20V～5.5V
    • 工場でのパッケージ工程のプログラミングによりカスタム出力を提供可能