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逆電流保護機能とイネーブル搭載、1A、超低ドロップアウト電圧レギュレータ

製品詳細

Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4 Noise (µVrms) 48 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 47.7, 50 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Foldback overcurrent protection, Reverse Current Protection, Reverse current protection Accuracy (%) 3 PSRR at 100 KHz (dB) 33 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4 Noise (µVrms) 48 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 47.7, 50 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Foldback overcurrent protection, Reverse Current Protection, Reverse current protection Accuracy (%) 3 PSRR at 100 KHz (dB) 33 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • 1µF 以上のセラミック出力コンデンサにより安定
  • 入力電圧範囲:2.2V~5.5V
  • 非常に低いドロップアウト電圧
    • レガシー シリコン:1A において 130mV (標準値)
    • 新しいシリコン、M3 接尾辞:1A において 122 mV (標準値)
  • わずか 1µF の出力コンデンサでも優れた負荷過渡応答
  • NMOS トポロジにより、低い逆リーク電流を実現
  • 初期精度:1%
  • ライン、負荷、温度にわたる全体の精度
    • レガシー シリコン:3%
    • 新しいシリコン、M3 接尾辞:1.5%
  • シャットダウン モード時の IQ:20nA 未満 (標準値)
  • サーマル シャットダウンおよび電流制限によるフォルト保護
  • 複数の出力電圧バージョンが利用可能:
    • 調整可能な出力:1.20V~5.5V
    • 工場でのパッケージ工程のプログラミングによりカスタム出力を提供可能
  • 1µF 以上のセラミック出力コンデンサにより安定
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    • レガシー シリコン:1A において 130mV (標準値)
    • 新しいシリコン、M3 接尾辞:1A において 122 mV (標準値)
  • わずか 1µF の出力コンデンサでも優れた負荷過渡応答
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    • レガシー シリコン:3%
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  • シャットダウン モード時の IQ:20nA 未満 (標準値)
  • サーマル シャットダウンおよび電流制限によるフォルト保護
  • 複数の出力電圧バージョンが利用可能:
    • 調整可能な出力:1.20V~5.5V
    • 工場でのパッケージ工程のプログラミングによりカスタム出力を提供可能

TPS737 リニア低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータは、電圧フォロワ構成で NMOS パス トランジスタを使用します。このトポロジは出力コンデンサの値と ESR の影響を比較的受けにくいため、広範な負荷構成に対応できます。小さな 1µF のセラミック出力コンデンサを使用した場合でも、負荷過渡応答が非常に優れています。また、NMOS トポロジにより、ドロップアウトも非常に小さくなります。

TPS737 は、非常に低いドロップアウト電圧と小さいグランド ピン電流を実現すると同時に、先進の BiCMOS プロセスを使用することで高い精度を達成しています。部品番号の末尾が M3 の製品は、最新のテキサス・インスツルメンツのプロセス テクノロジーに基づいた、更新された設計を使用しています。非イネーブル時の消費電流は 20nA 未満であり、携帯型アプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、サーマル シャットダウンとフォールドバック電流制限によって保護されています。

より高い出力電圧精度が必要なアプリケーションに対しては、全体精度 1% のテキサス・インスツルメンツ製 1A 低ドロップアウト電圧レギュレータ、TPS7A37 をご検討ください。

TPS737 リニア低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータは、電圧フォロワ構成で NMOS パス トランジスタを使用します。このトポロジは出力コンデンサの値と ESR の影響を比較的受けにくいため、広範な負荷構成に対応できます。小さな 1µF のセラミック出力コンデンサを使用した場合でも、負荷過渡応答が非常に優れています。また、NMOS トポロジにより、ドロップアウトも非常に小さくなります。

TPS737 は、非常に低いドロップアウト電圧と小さいグランド ピン電流を実現すると同時に、先進の BiCMOS プロセスを使用することで高い精度を達成しています。部品番号の末尾が M3 の製品は、最新のテキサス・インスツルメンツのプロセス テクノロジーに基づいた、更新された設計を使用しています。非イネーブル時の消費電流は 20nA 未満であり、携帯型アプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、サーマル シャットダウンとフォールドバック電流制限によって保護されています。

より高い出力電圧精度が必要なアプリケーションに対しては、全体精度 1% のテキサス・インスツルメンツ製 1A 低ドロップアウト電圧レギュレータ、TPS7A37 をご検討ください。

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技術資料

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設計と開発

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TPS73701DRVEVM-529 Gerber Files

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多くの TI リファレンス デザインには、TPS737 があります。

TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOT-223 (DCQ) 6 オプションの表示
VSON (DRB) 8 オプションの表示
WSON (DRV) 6 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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