JAJSQP8B September   2023  – March 2024 TPSM861252 , TPSM861253 , TPSM861257

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ファミリ デバイス
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 PWM 動作と D-CAP3™ 制御モード
      2. 7.3.2 Eco モード制御
      3. 7.3.3 ソフト スタートおよびプリバイアス付きソフト スタート
      4. 7.3.4 過電圧保護
      5. 7.3.5 周波数
      6. 7.3.6 デューティ比の大きい動作
      7. 7.3.7 電流保護と低電圧保護
      8. 7.3.8 低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護
      9. 7.3.9 サーマル シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 Eco モード動作
      2. 7.4.2 FCCM モード動作
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2 出力電圧抵抗の選択
        3. 8.2.2.3 出力フィルタの選択
        4. 8.2.2.4 入力コンデンサの選択
        5. 8.2.2.5 イネーブル回路
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 開発サポート
        1. 9.1.1.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

動作温度範囲 TJ = -40℃～125℃、VVIN= 12V (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
入力電源電圧
VIN 入力電圧範囲 VIN 3 17 V
IVIN VIN 電源電流 無負荷、VEN= 5V、スイッチングなし、ECO バージョン 100 µA
IVIN VIN 電源電流 無負荷、VEN= 5V、スイッチングなし、FCCM バージョン 370 µA
IINSDN VIN シャットダウン電流 無負荷、VEN= 0V 2 µA
UVLO
UVLO VIN 低電圧誤動作防止 ウェークアップ VIN 電圧 2.8 2.9 3.0 V
UVLO VIN 低電圧誤動作防止 シャットダウン VIN 電圧 2.6 2.7 2.8 V
UVLO VIN 低電圧誤動作防止 ヒステリシス VIN 電圧 200 mV
帰還電圧
VFB FB 電圧 TJ = 25℃ 594 600 606 mV
VFB FB 電圧 TJ = –40℃～125℃ 591 600 609 mV
VOUT TPSM861253 の出力電圧 TJ = 0℃～65℃ 3.27 3.3 3.33 V
VOUT TPSM861253 の出力電圧 TJ = –40℃～125℃ 3.25 3.3 3.35 V
MOSFET
RDS (ON)HI ハイサイド MOSFET の Rds(on) TJ = 25℃、VVIN ≥ 5V 55 mΩ
TJ = 25℃、VVIN = 3V (1) 68 mΩ
RDS (ON)LO ローサイド MOSFET の Rds(on) TJ = 25℃、VVIN ≥ 5V 24 mΩ
TJ = 25℃、VVIN = 3V (1) 30 mΩ
デューティ サイクルおよび周波数制御
FSW スイッチング周波数 TJ = 25℃、VVOUT = 3.3V 1.4 MHz
TOFF(MIN)(1) 最小オフ時間 VFB = 0.5V 110 ns
TON(MIN) 最小オン時間 60 ns
電流制限
IOCL_LS 過電流スレッショルド TPSM861252 および TPSM861257 のバレー電流設定ポイント 1.5 2.3 3.1 A
IOCL_LS 過電流スレッショルド TPSM861253 のバレー電流設定ポイント 1.5 2.3 2.9 A
INOCL 負の過電流スレッショルド バレー電流設定ポイント 1.5 2.0 2.5 A
論理スレッショルド
VEN(ON) EN スレッショルドの High レベル 1.15 1.20 1.25 V
VEN(OFF) EN スレッショルドの Low レベル 0.90 1.00 1.10 V
VENHYS EN ヒステリシス 200 mV
REN1 EN プルダウン抵抗 2 MΩ
出力放電とソフトスタート
tSS 内部ソフトスタート時間 1.6 ms
出力低電圧および過電圧保護
VOVP OVP 遷移スレッショルド 110 115 120 %
tOVPDLY OVP 伝搬のグリッチ除去 24 us
VUVP UVP 遷移スレッショルド 55 60 65 %
tUVPDLY UVP 伝搬のグリッチ除去 220 us
tUVPEN SS 時間に対する出力ヒカップ イネーブル遅延
 UVP 検出 14 ms
PGOOD
TPGDLY PG スタートアップ遅延 PG を Low から High に 1 ms
TPGDLY PG スタートアップ遅延 PG を High から Low に 28 us
VPGTH PG スレッショルド VFB 立ち下がり (FAULT) 80 85 90 %
VPGTH PG スレッショルド VFB 立ち上がり (グッド) 85 90 95 %
VPGTH PG スレッショルド VFB 立ち上がり (FAULT) 110 115 120 %
VPGTH PG スレッショルド VFB 立ち下がり (グッド) 105 110 115 %
VPG_L PG シンク電流容量 IOL = 4mA 0.4 V
IPGLK PG リーク電流 VPGood = 5.5V 1 μA
熱保護
TOTP(1) OTP 遷移スレッショルド 155 ℃
TOTPHSY(1) OTP ヒステリシス 20 ℃
(1) 設計により規定されています。