JAJSEI9B データシート

JAJSEI9B October 2017 – January 2018 UCC28056

PRODUCTION DATA.

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

DBV|6
- MPDS026O

サーマルパッド・メカニカル・データ

発注情報

6.5 電気的特性

動作温度範囲内（特に記述のない限り）

PARAMETER		TEST CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
電源電圧
V_CCStart	起動開始閾値	VCC立ち上がり		10.65	11	V
V_CCStop	停止閾値	VCC立ち下がり	8.5	8.85	9.2	V
V_CCHyst	UVLOヒステリシス(V_{CCStart -}V_CCStop) ⁽¹⁾		1.5			V
T_UVLOBlk	動作停止ブランキング時間		27	35	42	µs
消費電流
I_{CC_Startup}	起動開始前消費電流	VCC＝V_CCStart－200mV、T_A＜110℃			46	µA
I_{CC_FAULT}	異常検出状態での消費電流	VCC＝12V			130	µA
I_{CC_BSTOFF}	バースト・オフ期間中の消費電流	VCC＝12V			132	µA
I_{CC_RUN}	DRV端子無負荷時動作電流	VCC＝12V		1.8	2.2	mA
ゲート・トライブ
V_DRLow	DRV出力低電圧	I_DR＝100mA			0.9	V
V_DRHigh	DRV出力電圧高値、制限付き	VCC＝25V、I_DR＝－10mA	10	13.7	15	V
V_DRHighMin	DRV最小高電圧値	VCC＝V_CCStop＋200mV、I_DR＝－8mA	8			V
R_DRH	DRV、プルアップ抵抗	T_A＝－40℃～125℃、I_DR＝－8mA、VCC＝12V		9.7	16	Ω
R_DRL	DRV、プルダウン抵抗	T_A＝－40℃～125℃、I_DR＝100mA	2.0	4.6	9	Ω
t_R	立ち上がり時間	CLOAD＝1nF、DRV＝1V～6V、VCC＝12V	10	34	61	ns
t_F	立ち下がり時間	CLOAD＝1nF、DRV＝6V～1V、VCC＝12V	4	15	40	ns
Isource	DRV端子のソース・ピーク電流 ⁽¹⁾			－0.7		A
Isink	DRV端子のシンク・ピーク電流 ⁽¹⁾			1		A
R_DG0	T_ZCDR0を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		130	200		kΩ
R_DG1	T_ZCDR1を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		81.18	82	82.82	kΩ
R_DG2	T_ZCDR2を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		61.38	62	62.62	kΩ
R_DG3	T_ZCDR3を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		42.57	43	43.43	kΩ
R_DG4	T_ZCDR4を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		26.73	27	27.27	kΩ
R_DG5	T_ZCDR5を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		17.82	18	18.18	kΩ
R_DG6	T_ZCDR6を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		12.87	13	13.13	kΩ
R_DG7	T_ZCDR7を選択するDRV-GND間の抵抗値 ⁽¹⁾		9	9.1	9.2	kΩ
T_DGSmpl	R_DG値の検出に要する時間。	T_A＜85℃	3.95	4.4	4.95	ms
V_DGClmp	R_DG値の検出中にDRV端子で印加される最大電圧。		1	1.05	1.1	V
エラー・アンプ
V_OSReg	帰還基準電圧		2.45	2.5	2.55	V
I_OSBias	ISNS端子バイアス電流	V_OS＝V_OSReg	－100		100	nA
g_M	エラー・アンプ・トランスコンダクタンス・ゲイン	\|V_OS-V_OSReg\|＜DSuThs		50		µS
g_MNL	大きな誤差におけるエラー・アンプ・トランスコンダクタンス・ゲイン	\|V_OS-V_OSReg\|＞DSuThs		300		µS
DSuThs	非線形ゲイン閾値		67			mV
R_CODisch	STOPb状態でのCOMP-GND間の内蔵抵抗。		4.3	5	5.7	kΩ
V_COClmp	COMP端子内部高クランプ電圧		5.5	5.6	5.71	V
V_COSat	COMP端子内部低クランプ電圧 ⁽¹⁾			0		V
I_COMin	COMP最大ソース電流			－120		µA
I_COMax	COMP最大シンク電流			120		µA
入力電圧フィードフォワード
T_HLinMax	入力ピーク・サンプリング・ウィンドウ ⁽¹⁾	スイッチング中	11	12.3	13.6	ms
V_FF0Rise	G_FF0からG_FF1に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値⁽¹⁾			0.348		V
V_FF1Rise	G_FF1からG_FF2に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値 ⁽¹⁾			0.406		V
V_FF2Rise	G_FF2からG_FF3に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値⁽¹⁾			0.473		V
V_FF3Rise	G_FF3からG_FF4に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値⁽¹⁾			0.552		V
V_FF4Rise	G_FF4からG_FF5に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値⁽¹⁾			0.644		V
V_FF5Rise	G_FF5からG_FF6に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値⁽¹⁾			0.751		V
V_FF6Rise	G_FF6からG_FF7に切り替わるコンパレータ立ち上がり閾値⁽¹⁾			0.875		V
V_FF0Fall	G_FF1からG_FF0に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.331		V
V_FF1Fall	G_FF2からG_FF1に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.386		V
V_FF2Fall	G_FF3からG_FF2に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.45		V
V_FF3Fall	G_FF4からG_FF3に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.524		V
V_FF4Fall	G_FF5からG_FF4に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.612		V
V_FF5Fall	G_FF6からG_FF5に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.713		V
V_FF6Fall	G_FF7からG_FF6に切り替わるコンパレータ立ち下がり閾値⁽¹⁾	V_InSynthのピーク値(T_HLinMaxウィンドウ内)		0.832		V
G_FF0	入力フィードフォワード・ゲイン値0 ⁽¹⁾			1		V
G_FF1	入力フィードフォワード・ゲイン値1 ⁽¹⁾			0.735		V
G_FF2	入力フィードフォワード・ゲイン値2 ⁽¹⁾			0.541		V
G_FF3	入力フィードフォワード・ゲイン値3 ⁽¹⁾			0.398		V
G_FF4	入力フィードフォワード・ゲイン値4 ⁽¹⁾			0.292		V
G_FF5	入力フィードフォワード・ゲイン値5 ⁽¹⁾			0.215		V
G_FF6	入力フィードフォワード・ゲイン値6 ⁽¹⁾			0.158		V
G_FF7	入力フィードフォワード・ゲイン値7 ⁽¹⁾			0.116		V
最大オン時間
T_ONMAX0	G_FF＝G_FF0のときの最大オン時間		12.1	12.8	13.2	µs
T_ONMAX1	G_FF＝G_FF1のときの最大オン時間		10.42	10.98	11.28	µs
T_ONMAX2	G_FF＝G_FF2のときの最大オン時間		8.85	9.41	9.64	µs
T_ONMAX3	G_FF＝G_FF3のときの最大オン時間		7.59	8.07	8.32	µs
T_ONMAX4	G_FF＝G_FF4のときの最大オン時間		6.52	6.92	7.18	µs
T_ONMAX5	G_FF＝G_FF5のときの最大オン時間		5.56	5.93	6.16	µs
T_ONMAX6	G_FF＝G_FF6のときの最大オン時間		4.73	5.09	5.28	µs
T_ONMAX7	G_FF＝G_FF7のときの最大オン時間		4.07	4.36	4.57	µs
バースト・モード動作
V_BSTFall	VCOMPバースト閾値立ち下がり			0.5		V
V_BSTRise	VCOMPバースト閾値立ち上がり			0.625		V
ゼロ電流検出およびバレー同期
V_ZcdVinHyst	ZcdVinコンパレータ・ヒステリシス ⁽¹⁾		12	19	26	mV
T_DCHVinMin	DRV立ち下がりエッジからのZcdVinコンパレータ・ブランキング ⁽¹⁾		250	358	467	ns
T_ZCDTo	この期間にVinコンパレータで負過渡が生じなければバレーを待たない		2.035	2.4	3.0	µs
T_ZCDR0	ZCD-DRV間の最小遅延。	V_ZC＜V_InSynthからDRV＝6V、C_DR＝1nF、Fres＝1.2MHz、R_DG＝R_DG0まで		170	235	ns
ΔT_ZCDR1	T_ZCDR1＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR1⁽¹⁾	R_DG＝R_DG1	34.6	45.5	58.5	ns
ΔT_ZCDR2	T_ZCDR2＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR2⁽¹⁾	R_DG＝R_DG2	76	90	107	ns
ΔT_ZCDR3	T_ZCDR3＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR3⁽¹⁾	R_DG＝R_DG3	114	130	147	ns
ΔT_ZCDR4	T_ZCDR4＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR4⁽¹⁾	R_DG＝R_DG4	157	175	193	ns
ΔT_ZCDR5	T_ZCDR5＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR5⁽¹⁾	R_DG＝R_DG5	229	255	281	ns
ΔT_ZCDR6	T_ZCDR6＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR6⁽¹⁾	R_DG＝R_DG6	301	335	369	ns
ΔT_ZCDR7	T_ZCDR7＝T_ZCDR0＋ΔT_ZCDR7⁽¹⁾	R_DG＝R_DG7	373	415	457	ns
V_DDAmpl	ニー検出器の検知に必要なZCD/CS端子の500kHz正弦波信号の振幅		25			mV
T_DCHDDMin	ニーポイント検出器のブランキング期間 ⁽¹⁾	DRVパルスの立ち下がりエッジから測定		1.5		µs
異常保護
T_LongFlt	長い異常期間 ⁽¹⁾			1		s
入力ブラウンイン保護
V_ZCBoRise	Stopb状態でのブラウンアウト保護閾値	ZCD/CS端子のピーク・サイクル平均電圧。	0.282	0.3	0.318	V
I_ZCBias	ZCD/CS端子バイアス電流 ⁽¹⁾	V_ZC＝V_ZCBoFall	－100		100	nA
過電流保護
V_ZCOcp1	ZCD/CS 1次過電流保護閾値		450	500	550	mV
V_ZCOcp2	ZCD/CS 2次過電流保護閾値		670	750	825	mV
T_Ocp1Blk	DRV立ち上がりエッジからOcp1コンパレータ出力イネーブルまでのZCD/CSブランキング時間 ⁽¹⁾			450		ns
T_Ocp2Blk	DRV立ち上がりエッジからOcp2コンパレータ出力イネーブルまでのZCD/CSブランキング時間 ⁽¹⁾			250		ns
T_OcpDrvDel	ZCD/CSがV_OcpxThを交差してからDRV立ち下がりエッジまで。			56	120	ns
T_DCHMax0	ZCD信号が検出されない場合のT_DCHb状態の最長期間。OCPx事象がなかった後 ⁽¹⁾			250		µS
T_DCHMax1	ZCD信号が検出されない場合のT_DCHb状態の最長期間。OCPx事象が1回生じた後 ⁽¹⁾			500		µS
T_DCHMax2	ZCD信号が検出されない場合のT_DCHb状態の最長期間。OCPx事象が2回連続して生じた後 ⁽¹⁾			1000		µS
出力過電圧保護
V_OSOovp1Rise	VOSNS過電圧閾値、立ち上がり	VCC＝12V	2.69	2.75	2.81	V
V_OSOovp1Fall	VOSNS過電圧閾値、立ち下がり	VCC＝12V	2.60	2.675	2.73	V
V_OSOovp1Hyst	V_OSOovp1Rise - V_OSOovp1Fall⁽¹⁾		0.072			V
T_Ovp2Blk	DRVの立ち下がりエッジ後のこの期間にOvp2コンパレータ出力がブランキングされる ⁽¹⁾		520	620	720	ns
T_Ovp2bEn	Ovp3コンパレータ出力の立ち下がりエッジ後のこの期間にOvp2b異常が検出され、ZCDが検出される ⁽¹⁾		620	720	820	ns
V_Ovp2Th	2次出力過電圧異常閾値		1.102	1.125	1.148	V
過熱保護動作
T_TSDRise	温度上昇中に過熱保護動作を開始する温度閾値 ⁽¹⁾	スイッチング動作時	135	145	155	°C
T_TSDFall	温度が下降中に過熱保護動作を停止する温度閾値 ⁽¹⁾	スイッチング動作停止中	95	105	115	℃
T_TSDHyst	T_TSDRise - T_TSDFall⁽¹⁾		38	40	42	℃

(1) 実製品の検査は行っていません。設計により保証されています。