JADT038 October   2026 LMG708B0

 

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  2. 1 概要
  3. 2 高電力密度変換を実現する内蔵型 GaN
  4. 3 熱に関する課題と両面冷却
  5. 4 GaN コンバータ IC の設計と実装
  6. 5 実験的評価
  7. 6 放熱性能
  8. 7 まとめ
  9. 8 著者について
  10. 9 参考資料
  11. 10その他の資料
  12. 11商標
Analog Design Journal

GaN FET 内蔵、両面冷却を採用した 48V 降圧コンバータにおける高電力密度の実現

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