LMG708B0

LMG708B0 は、デバイス ファミリから供給される GaN 同期整流降圧 DC/DC コンバータで、超高電流密度と優れた電力変換効率を実現します。RDS(on) の低い GaN FET を内蔵し、デッドタイム スイッチング性能がゼロに近いため、5V ～ 80V の広い入力電圧範囲にわたり最大 20A の出力電流を供給できます。

同期インターリーブによる位相スタッカブルである LMG708B0 のピーク電流モードアーキテクチャは、並列接続した相での高精度な電流共有をサポートしており、より大きな出力電流を供給できます。定電圧 (CV) 動作に加えて、共有補償機能を備えたデュアルループ アーキテクチャにより、バッテリ充電や他の電流ソース タイプの負荷用の定電流 (CC) レギュレーションを実現します。この粘着的なアプローチにより、CV モードと CC モードの間でシームレスな遷移、電圧 (±1%) と電流 (±4.5%) レギュレーションの高精度を実現して、平均出力電流制御を必要とするアプリケーションで部品表 (BOM) コストを効果的に削減できます。VSET および ISET 入力により、それぞれの CV および CC ループ設定点を動的に調整できます。また、IMON 出力により平均出力電流を監視できます。

LMG708B0 は、放熱強化パッケージ (TEP) を採用しており、露出したパッケージ接続による上面冷却 (TSC) と低いパッケージの寄生インダクタンスに対応しているため、静かなスイッチング性能を実現できます。

最小オン時間 25ns のハイサイド スイッチは大きい降圧率に対応できるため、24V または 48V の入力から低電圧レールへの直接変換が可能になり、システムの設計コストと複雑性を下げることができます。LMG708B0 は、最低 5V の入力電圧ディップ時にも動作を継続でき、必要に応じてほぼ 100% のデューティ サイクルでも動作できます。スリープ時静止電流 (出力電圧をレギュレートした状態) は 20µA であるため、バッテリ駆動の用システムの動作時間を延長できます。

LMG708B0 CISPR 11 および CISPR 32 実施排出要件への準拠を容易にする複数の機能が搭載されています。予測的にタイミングが制御される GaN FET ゲート ドライバと統合されたブートストラップ スイッチとコンデンサは、スイッチング遷移時のデッドタイムを最小限にとどめて、スイッチング損失を低減するとともに、高入力電圧および高スイッチング周波数時の EMI 性能を高めます。入力コンデンサのリップル電流と EMI フィルタのサイズを小さくするために、位相シフトをプログラム可能な SYNCOUT 信号を使用したインターリーブ動作は、カスケード、マルチチャネル、またはマルチフェーズの設計に最適です。スイッチング周波数は、抵抗により最大 2.2MHz まで設定可能で、最大 2.64MHz の外部クロック ソースと同期できるため、ノイズに敏感な用途でビート周波数を除去できます。最後に、LMG708B0 は独自の EMI 低減機能であるデュアルランダム スペクトラム拡散 (DRSS) を採用しています。これは、低周波数の三角波変調と高周波数のランダム変調を組み合わせて、低周波数帯域と高周波数帯域にわたって EMI 外乱を緩和します。

LMG708B0 の追加機能として、125°C の 最大接合部温度動作、軽負荷条件下での消費電流を低減するためのユーザー選択可能な PFM モード、同期充電による堅牢なレベル シフト、オープン ドレインのパワーグッド (PG) インジケータによるフォルト報告および出力監視、入力 UVLO のための高精度のイネーブル入力、プリバイアス負荷への単調なスタートアップ、デュアル入力 VCC バイアス サブレギュレータ、30mV フルスケール電流センシング、ヒカップモード過負荷保護、コントローラ用の自動回復機能付きサーマル シャットダウン保護という機能が含まれます。

LMG708B0 4.5mm × 6mm の熱特性強化された 22 ピンの eQFN パッケージ に搭載されており、高性能 GaN パワー FET (TI 独自の GaN IC テクノロジーをベースとする)、熱管理および EMI 軽減機能、CC/CV 動作、小型設計サイズを活用した LMG708B0 は、利用可能な電流、寿命全体にわたる信頼性、およびコスト上の利点を備えた最も効率的な GaN 設計を必要とするアプリケーション向けの優れたポイントオブロード レギュレータの選択肢となっています。