JAJS014X September   2003  – May 2025 TPS736

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 熱に関する情報
    6. 5.6 電気的特性
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 出力ノイズ
      2. 6.3.2 内部電流制限
      3. 6.3.3 イネーブルおよびシャットダウン
      4. 6.3.4 逆電流
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 1.7V ≤ VIN ≤ 5.5V および VEN ≥ 1.7V での通常動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 入出力コンデンサの要件
        2. 7.2.2.2 ドロップアウト電圧
        3. 7.2.2.3 過渡応答
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.4.1.1 電力散逸
        2. 7.4.1.2 過熱保護
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 評価基板
        2. 8.1.1.2 SPICE モデル
      2. 8.1.2 デバイスの命名規則
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.6 電気的特性

動作温度範囲 (TJ = –40°C ～ 125°C)、VIN = VOUT(nom)+ 0.5V(1)、IOUT = 10mA、VEN = 1.7V、COUT = 0.1μF (特に記述のない限り)。標準値は TJ = 25℃ 時に測定
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
VIN 入力電圧範囲(1)(2) 1.7 5.5 V
VFB 内部リファレンス (TPS73601) TJ = 25°C 1.198 1.204 1.210 V
VOUT 出力電圧範囲 (TPS73601)(3) VFB 5.5 - VDO V
精度(1)(4) 公称 TJ = 25°C -0.5 0.5 %
VIN、IOUT、および温度範囲全体で () VOUT + 0.5V ≦ VIN ≦ 5.5V、10mA ≦ IOUT ≦ 400mA  -1 ±0.5 1
ΔVOUT(ΔVIN) ライン レギュレーション (1) VOUT(nom) + 0.5V ≦ VIN ≦ 5.5V 0.01 %/V
ΔVOUT(ΔIOUT) ロード レギュレーション 1mA ≤ IOUT ≤ 400mA 0.002 %/mA
10mA ≤ IOUT ≤ 400mA 0.0005
VDO ドロップアウト電圧(5) (VIN = VOUT(nom) - 0.1V) IOUT = 400mA 75 200 mV
ZO(DO) ドロップアウト時の出力インピーダンス 1.7V ≦ VIN ≦ VOUT + VDO 0.25 Ω
ICL 出力電流制限 VOUT = 0.9 × VOUT(nom) レガシー シリコン 400 650 800 mA
3.6V ≦ VIN ≦ 4.2V、0℃ ≦ TJ ≦ 70℃ 500 800
VOUT = 0.9 × VOUT(nom) 新しいシリコン  500 800
ISC 短絡電流 VOUT = 0V 450 mA
IREV 逆リーク電流(6) (-IIN) VEN ≦ 0.5V、0V ≦ VIN ≦ VOUT 0.1 10 µA
IGND グランド ピン電流 IOUT = 10mA (IQ)、レガシー シリコン 400 550 µA
IOUT = 10mA (IQ)、新しいシリコン       400 630
IGND グランド ピン電流 IOUT = 400mA   800 1000 µA
ISHDN シャットダウン時の電流 (IGND) VEN ≦ 0.5V、VOUT ≦ VIN ≦ 5.5V、–40°C ≦ TJ ≦ 100℃、レガシーシリコン 0.02 1 µA
VEN ≦ 0.5V、VOUT ≦ VIN ≦ 5.5V、新しいシリコン   0.02 1
IFB 帰還ピン電流 (TPS73601) 0.1 0.3 µA
PSRR 電源電圧変動除去比 (リップル除去) f = 100Hz、IOUT = 400mA 58 dB
f = 10kHz、IOUT = 400mA 37
VN 出力ノイズ電圧、BW = 10Hz~100kHz COUT = 10µF、CNR なし 27 × VOUT μVRMS
COUT = 10µF、CNR =0.01µF 8.5 × VOUT
tSTR 起動時間 VOUT = 3V、RL = 30Ω、COUT = 1μF、CNR = 0.01μF 600 μs
VEN(high) EN ピン 高 (イネーブル) 1.7 VIN V
VEN(low) EN ピン 低 (シャットダウン) 0 0.5 V
IEN(high) イネーブル ピンの電流 (イネーブル) VEN = 5.5V 0.02 0.1 µA
TSD サーマル シャットダウン温度 シャットダウン、温度上昇 160 ℃
リセット、温度低下 140
TJ 動作時接合部温度 -40 125 ℃
(1) 最小 VIN = VOUT + VDO または 1.7V のいずれか大きい方。
(2) VOUT(nom) < 1.6V の場合、VIN ≦ 1.6V になると出力が VIN にロックされ、過電圧による損傷が発生する可能性があります。この状況を避けるため、VIN をオフにする前にデバイスを無効にしてください。(レガシーシリコンのみ)
(3) TPS73601は、VOUT = 2.5V でテストされています。
(4) この仕様には外付け抵抗の許容誤差は含まれていません。
(5) VDO は、VOUT(nom) < 1.8V の出力バージョンでは、最小 VIN = 1.7V であるため測定されません。
(6) 固定電圧バージョンのみ対応。詳細は「アプリケーション情報」セクションを参照してください。