JAJS136L January   2006  – April 2026 TPS5430 , TPS5431

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報 (DDA パッケージ)
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  発振周波数
      2. 6.3.2  基準電圧
      3. 6.3.3  イネーブル (ENA) と内部スロースタート時間
      4. 6.3.4  低電圧誤動作防止 (UVLO)
      5. 6.3.5  ブースト･キャパシタ (BOOT)
      6. 6.3.6  出力フィードバック (VSENSE) と内部補償
      7. 6.3.7  電圧フィード･フォワード
      8. 6.3.8  パルス幅変調 (PWM) 制御
      9. 6.3.9  過電流保護
      10. 6.3.10 過電圧保護
      11. 6.3.11 サーマル シャットダウン
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 最小入力電圧付近での動作
      2. 6.4.2 ENA 制御による動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 使用上の注意
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 12V 入力から 5.0V 出力
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
          2. 7.2.1.2.2 スイッチング周波数
          3. 7.2.1.2.3 入力コンデンサ
          4. 7.2.1.2.4 出力フィルタ部品
            1. 7.2.1.2.4.1 インダクタの選択
            2. 7.2.1.2.4.2 コンデンサの選択
          5. 7.2.1.2.5 出力電圧の設定点
          6. 7.2.1.2.6 ブート コンデンサ
          7. 7.2.1.2.7 キャッチ ダイオード
          8. 7.2.1.2.8 詳細情報
            1. 7.2.1.2.8.1 出力電圧の制限
            2. 7.2.1.2.8.2 内部補償回路
            3. 7.2.1.2.8.3 熱に関する計算
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 TPS5430 を使用した広い入力電圧範囲
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 TPS5431 を使用した広い入力電圧範囲
          1. 7.2.2.3.1 設計要件
          2. 7.2.2.3.2 詳細な設計手順
      3. 7.2.3 セラミック出力フィルタ キャパシタを使用する回路
        1. 7.2.3.1 設計要件
        2. 7.2.3.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.3.2.1 出力フィルタ部品の選択
          2. 7.2.3.2.2 外部補償回路
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイスのサポート
      1. 8.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 8.1.2 開発サポート
        1. 8.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

9 改訂履歴

Changes from Revision K (January 2024) to Revision L (April 2026)

  • 「ピン構成および機能」セクションに、内部 1.5MΩ のプルアップ抵抗に関する情報を追加して、ENA ピンの説明を更新 Go
  • 「ピン構成および機能」に、バイパス コンデンサの推奨距離に関する情報を追加して、VIN ピンの説明を更新 Go
  • 「絶対最大値」の表に、BOOT から PH への間で内部で生成される最大 10V の電圧を許容できるように、表の注記 3 を追加。Go
  • 「熱に関する情報」セクションの表の注記 3 を更新し、評価基板の θ JA を追加Go
  • 機能ブロック図で、5uA 電流ソースを削除し、1.5MΩ プルアップ抵抗を追加Go
  • 既存の情報を削除し、内部 1.5MΩ プルアップ抵抗の情報を追加することで、「イネーブル (ENA) と内部スロースタート時間」セクションを更新 Go

Changes from Revision J (July 2022) to Revision K (January 2024)

  • データシート全体にわたって WEBENCH® のリンクを更新PowerPAD™ パッケージに言及する場合に「集積回路」を追加。MOSFET 抵抗を 110mΩ から 100m Ω に変更。I Q を 18μA から 15μA に変更。Go
  • 「ピン構成」の図のタイトルを「DDA パッケージ 8 ピン SOIC (サーマル パッド付き) 上面図」に変更し、そのタイトルを正しい位置に移動。「PowerPAD」を「DAP」に変更。Go
  • 特定のパラメータ名を含まず、最小および最大列を含む新しい形式に「絶対最大定格」表を更新。ヘッダーに TJ を含める。  信号名の代わりにピン名を使う。  BOOT 電圧と PH 電圧を出力電圧として表示。脚注を更新 し、注 2 を削除。Go
  • BOOT と PH の間の電圧の絶対最大定格を 10V から 6V に変更。Go
  • PH と GND の間の電圧の絶対最大定格 (過渡 10ns 未満) を -4V から -1.2V に変更。Go
  • CDM ESD を ±1500V から ±750V に変更Go
  • 推奨動作条件の「VI」を「入力電圧」に変更。Go
  • JEDEC 規格の情報を含む現行のテキサス・インスツルメンツ規格に合わせて熱に関する情報の脚注を更新。  カスタム基板情報を EVM RθJA 情報に変更Go
  • RθJC(top) を 46.4 から 46 に、RθJB を 20.8 から 15 に、ψJT を 4.9 から 5.2 に、ψJB を 20.7 から 15.3 に、RθJC(bot) を 0.8 から 6 に変更。Go
  •  代表的な仕様の EC 表のヘッダーに条件を追加、パラメータ名と、パラメータの説明で使われるピン名を追加。  脚注を追加。Go
  • VFB のテスト条件を「IO = 0A～3A」から「TJ = -40℃～125℃」に変更、rDS(ON) を RDSON(HS) に変更、RDSON(HS) のテスト条件を「VIN = 5.5V」から「VIN = 5.5V、VBOOT-SW = 4.0V」に変更。Go
  • IQ の名前を ISD(VIN) (ENA が Low の場合) および IQ(VIN) (チップがアクティブの場合) に変更。Go
  • DMAX のテスト条件「fSW = 500kHz」と 2 番目の RDSON(HS) 仕様のテスト条件「VIN = 12V、VBOOT-SW = 4.5V」を追加。Go
  • IQ(VIN) の標準値を 3mA から 2mA に、ISD(VIN) の標準値を 18µA から 15µA に、VINUVLO(H) を 330mV から 0.35V に、VEN(H) を 450mV から 325mV に変更。Go
  • VIN = 5V (標準値) の RDS(ON) を 150mΩ から 125mΩに、VIN = 12V の RDS(ON) を 110mΩ から 100mΩ に変更。Go
  • 「概要」の「110mΩ ハイサイド MOSFET」を「100mΩ ハイサイド MOSFET」に、18µA を 15µA に変更。 Go
  • 「イネーブル (ENA) と内部スロー スタート時間」セクションのシャットダウン電流を 18μA から 15μA に変更 Go
  • UVLO の説明の UVLO ヒステリシスを 330mV から 350mV に変更。Go
  • 図 7-1 の TPS5430DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に、回路の説明の「露出 PowerPAD™」を「DAP」に変更。Go
  • 図 7-9 の TPS5430DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に変更。Go
  • 図 7-10 の TPS5431DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に変更。Go
  • 図 7-11 の TPS5430DDA パッケージ図の「PwPd」を「DAP」に変更。Go
  • 「レイアウトのガイドライン」の「PowerPAD」を「DAP」に変更 Go

Changes from Revision I (April 2017) to Revision J (July 2022)

  • 文書全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新。Go