JAJSCZ6G March   2017  – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. 概要 (続き)
  6. ピン構成および機能
    1.     端子機能
  7. 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電力定格
    6. 7.6  絶縁仕様
    7. 7.7  安全関連認証
    8. 7.8  安全限界値
    9. 7.9  電気的特性ー 5V 入力、5V 出力
    10. 7.10 電源電流特性— 5V 入力、5V 出力
    11. 7.11 電気的特性ー 3.3V 入力、5V 出力
    12. 7.12 電源電流特性— 3.3V 入力、5V 出力
    13. 7.13 電気的特性ー 5V 入力、3.3V 出力
    14. 7.14 電源電流特性— 5V 入力、3.3V 出力
    15. 7.15 電気的特性ー 3.3V 入力、3.3V 出力
    16. 7.16 電源電流特性ー 3.3V 入力、3.3V 出力
    17. 7.17 スイッチング特性 - 5V 入力、5V 出力
    18. 7.18 スイッチング特性 - 3.3V 入力、5V 出力
    19. 7.19 スイッチング特性 - 5V 入力、3.3V 出力
    20. 7.20 スイッチング特性 - 3.3V 入力、3.3V 出力
    21. 7.21 絶縁特性曲線
    22. 7.22 代表的特性
  8. パラメータ測定情報
  9. 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 電磁両立性 (EMC) に関する検討事項
      2. 9.3.2 パワーアップ動作とパワーダウン動作
      3. 9.3.3 過電流制限、過熱保護
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 デバイス I/O 回路図
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 設計要件
      2. 10.2.2 詳細な設計手順
      3. 10.2.3 アプリケーション曲線
        1. 10.2.3.1 絶縁寿命
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
      1. 12.1.1 PCB 材料
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイスのサポート
      1. 13.1.1 開発サポート
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 関連リンク
    4. 13.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 13.5 サポート・リソース
    6. 13.6 商標
    7. 13.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 13.8 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

概要 (続き)

ISOW784x デバイス・ファミリは、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁すると同時に、高い電磁気耐性と低い放射を実現します。信号絶縁チャネルでは、二酸化ケイ素 (SiO2) の二重容量性絶縁バリアによって、ロジック入力および出力バッファが分離されています。また電力絶縁には、薄膜ポリマーを絶縁素材としたオンチップのトランスを使用しています。順方向および逆方向チャネルのさまざまな構成を利用可能です。入力信号が消失した場合のデフォルト出力は、ISOW784x デバイス (接尾辞 F なし)では HIGH となり、 接尾辞 F 付きのデバイスでは LOW となります (VSI および VSO は、チャネル方向によって、VCC または VISO のいずれかになります)。

これらのデバイスを使えば、RS-485、RS-232、CAN などのデータバスまたは他の回路のノイズ電流がローカル・グランドに混入することによる敏感な回路への干渉や、敏感な回路の損傷を引き起こすことを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、本デバイスは電磁環境適合性が大幅に強化されているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。電力コンバータの効率が高いため、より高い周囲温度での動作が可能です。このデバイスは、16 ピンの SOIC ワイド・ボディ (SOIC-WB) DWE パッケージで供給されます。