JAJSK58D January   2022  – April 2024 TPS4811-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  Charge Pump and Gate Driver output (VS, PU, PD, BST, SRC)
      2. 8.3.2  Capacitive Load Driving
        1. 8.3.2.1 FET Gate Slew Rate Control
        2. 8.3.2.2 Using Precharge FET - (with TPS48111-Q1 Only)
      3. 8.3.3  Short-Circuit Protection
        1. 8.3.3.1 Overcurrent Protection With Auto-Retry
        2. 8.3.3.2 Overcurrent Protection With Latch-Off
      4. 8.3.4  Short-Circuit Protection
      5. 8.3.5  Analog Current Monitor Output (IMON)
      6. 8.3.6  Overvoltage (OV) and Undervoltage Protection (UVLO)
      7. 8.3.7  Device Functional Mode (Shutdown Mode)
      8. 8.3.8  Remote Temperature sensing and Protection (DIODE)
      9. 8.3.9  Output Reverse Polarity Protection
      10. 8.3.10 TPS4811x-Q1 as a Simple Gate Driver
  10. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application: Driving HVAC PTC Heater Load on KL40 Line in Power Distribution Unit
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Typical Application: Driving B2B FETs With Pre-charging the Output Capacitance
      1. 9.3.1 Design Requirements
      2. 9.3.2 External Component Selection
      3. 9.3.3 Application Curves
    4. 9.4 Power Supply Recommendations
    5. 9.5 Layout
      1. 9.5.1 Layout Guidelines
      2. 9.5.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 Trademarks
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

特長

  • 下記結果で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1:
      動作時周囲温度範囲 -40℃~+125℃
  • 機能安全対応
  • 3.5V~80V の入力範囲 (絶対最大定格 100V)
  • 最小 -30V までの出力逆極性保護
  • 100µA の電流能力を持つ内蔵 12V チャージ ポンプ
  • 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = Low):1.6µA
  • 強力なプルアップ (3.7A) / プルダウン (4A) ゲート ドライバ
  • 外付けバックツーバック N チャネル MOSFET を駆動
  • 容量性負荷を駆動するためのプリチャージ スイッチ ドライバを内蔵したバリアント (TPS48111-Q1)
  • 調整可能なサーキット ブレーカ タイマ (TMR) とフォルト フラグ出力 (FLT_I) を備えた 2 レベルの調整可能な過電流保護 (IWRN、ISCP)
  • 高速な短絡保護:1.2µs (TPS48111-Q1)、4µs (TPS48110-Q1)
  • 高精度アナログ電流モニタ出力 (IMON):
    ±2% (30mV VSNS)

  • 調整可能な低電圧誤動作防止 (UVLO) および過電圧保護 (OV)< ±2%
  • フォルト フラグ出力 (FLT_T) を備えたリモート過熱検出 (DIODE) および保護