JAJSME3C
March 2022 – June 2024
UCC21737-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Power Ratings
5.6
Insulation Specifications
5.7
Safety Limiting Values
5.8
Electrical Characteristics
5.9
Switching Characteristics
5.10
Insulation Characteristics Curves
5.11
Typical Characteristics
6
Parameter Measurement Information
6.1
Propagation Delay
6.1.1
Regular Turn-OFF
6.2
Input Deglitch Filter
6.3
Active Miller Clamp
6.3.1
External Active Miller Clamp
6.4
Undervoltage Lockout (UVLO)
6.4.1
VCC UVLO
6.4.2
VDD UVLO
6.4.3
VEE UVLO
6.5
Overcurrent (OC) Protection
6.5.1
OC Protection with Soft Turn-OFF
6.6
ASC Support
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Power Supply
7.3.2
Driver Stage
7.3.3
VCC and VDD and VEE Undervoltage Lockout (UVLO)
7.3.4
Active Pulldown
7.3.5
Short Circuit Clamping
7.3.6
External Active Miller Clamp
7.3.7
Overcurrent and Short Circuit Protection
7.3.8
Soft Turn-off
7.3.9
Fault (FLT), Reset, and Enable (RST/EN)
7.3.10
ASC Support and APWM Monitor
7.4
Device Functional Modes
8
Applications and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Input Filters for IN+, IN-, and RST/EN
8.2.2.2
PWM Interlock of IN+ and IN-
8.2.2.3
FLT, RDY, and RST/EN Pin Circuitry
8.2.2.4
RST/EN Pin Control
8.2.2.5
Turn-On and Turn-Off Gate Resistors
8.2.2.6
External Active Miller Clamp
8.2.2.7
Overcurrent and Short Circuit Protection
8.2.2.7.1
Protection Based on Power Modules with Integrated SenseFET
8.2.2.7.2
Protection Based on Desaturation Circuit
8.2.2.7.3
Protection Based on Shunt Resistor in Power Loop
8.2.2.8
Higher Output Current Using an External Current Buffer
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Device Support
11.1.1
サード・パーティ製品に関する免責事項
11.2
Documentation Support
11.2.1
Related Documentation
11.3
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
11.4
サポート・リソース
11.5
Trademarks
11.6
静電気放電に関する注意事項
11.7
用語集
12
Revision History
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
1
特長
5.7kV
RMS
のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
下記の内容で AEC-Q100 認定済み:
デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~+125℃
機能安全品質管理
機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
最高 2121V
pk
の SiC MOSFET および IGBT
出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V (最大値)
±10A の駆動能力と分割出力
最小 CMTI:150V/ns
270ns の応答時間による高速過電流保護
外部アクティブ ミラー クランプ
フォルト発生時の 900mA ソフト ターンオフ オプション
システム フォルト時にパワー スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
過電流時の
FLT
アラームと
RST
/EN からのリセット
RST
/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
12V VDD UVLO
と -3V VEE UVLO
(RDY のパワー グッド付き)
最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
伝搬遅延時間:130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー:30ns (最大値)
沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
動作時の接合部温度:–40℃~150℃