JAJSMI7B July   2022  – December 2024 OPA817

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics: VS = ±5 V
  8. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Input and ESD Protection
      2. 7.3.2 Feedback Pin
      3. 7.3.3 FET-Input Architecture With Wide Gain-Bandwidth Product
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Power-Down (PD) Pin
  9. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Wideband, High-Input-Impedance DAQ Front End
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 High-Input-Impedance, 200-MHz, Digitizer Front-End Amplifier Design
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curves
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
        1. 8.4.1.1 Thermal Considerations
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. Device and Documentation Support
    1. 9.1 Device Support
      1. 9.1.1 Development Support
    2. 9.2 Documentation Support
      1. 9.2.1 Related Documentation
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 Trademarks
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

特長

  • 広い帯域幅:
    • ゲイン帯域幅積:400MHz
    • 帯域幅 (G = 1V/V):800MHz
    • 大信号帯域幅 (2VPP):250MHz
    • スルーレート:1000V/µs
  • 高精度:
    • 入力オフセット電圧:250μV (最大値)
    • 入力オフセット電圧ドリフト:3.5μV/℃ (最大値)
  • 入力電圧ノイズ:4.5nV/√Hz
  • 入力バイアス電流:2pA
  • 低歪み (RL = 100Ω、VO = 2VPP):
    • 10MHz での HD2、HD3:–86dBc、–100dBc
  • 電源電圧範囲:6V~12.6V
  • 消費電流:23.5mA
  • シャットダウン電流:55µA
  • OPA656 の性能アップグレード版