JAJSOO1C December   2024  – July 2025 CDC6C

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 環境関連法令順守
    4. 6.4 推奨動作条件
    5. 6.5 熱に関する情報
    6. 6.6 電気的特性
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 デバイス出力構成
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 バルク弾性波 (BAW)
      2. 8.3.2 デバイス ブロック レベルの説明
      3. 8.3.3 機能ピン
      4. 8.3.4 クロック出力のインターフェイスと終端
      5. 8.3.5 温度安定性
      6. 8.3.6 機械的堅牢性
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 単一の CDC6Cx で複数の負荷を駆動
      2. 9.1.2 CDC6Cx の CISPR25 放射エミッション性能
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 9.4.1.1 熱に関する信頼性の実現
        2. 9.4.1.2 推奨される半田リフロー プロファイル
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 12.1 テープおよびリール情報
    2. 12.2 発注用製品型番の内容

6.6 電気的特性

推奨動作条件全体にわたる (VDD = 1.8V±10%、2.5V±10%、3.3V±10%、特に記述のない限り、標準値は 25℃ のときの値)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
消費電流特性
IDD デバイスの消費電流 (負荷電流を除く) –40℃ ～ 85℃、Fout = 20MHz、Vdd = 1.8V±10% 4.22 6.7 mA
–40℃ ～ 85℃、Fout = 20MHz、Vdd = 3.3V±10% 4.41 6.7 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 20MHz、Vdd = 1.8V±10% 4.22 7.3 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 20MHz、Vdd = 3.3V±10% 4.41 7.3 mA
IDD デバイスの消費電流 (負荷電流を除く) –40℃ ～ 85℃、Fout = 25MHz、Vdd = 1.8V±10% 4.32 6.8 mA
–40℃ ～ 85℃、Fout = 25MHz、Vdd = 3.3V±10% 4.57 6.9 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 25MHz、Vdd = 1.8V±10% 4.32 7.4 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 25MHz、Vdd = 3.3V±10% 4.57 7.5 mA
IDD デバイスの消費電流 (負荷電流を除く) –40℃ ～ 85℃、Fout = 50MHz、Vdd = 1.8V±10% 4.84 7.1 mA
–40℃ ～ 85℃、Fout = 50MHz、Vdd = 3.3V±10% 5.33 7.2 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 50MHz、Vdd = 1.8V±10% 4.84 7.6 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 50MHz、Vdd = 3.3V±10% 5.33 7.8 mA
IDD デバイスの消費電流 (負荷電流を除く) –40℃ ～ 85℃、Fout = 100MHz、Vdd = 1.8V±10% 5.86 7.6 mA
–40℃ ～ 85℃、Fout = 100MHz、Vdd = 3.3V±10% 6.77 9.0 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 100MHz、Vdd = 1.8V±10% 5.86 8.2 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 100MHz、Vdd = 3.3V±10% 6.77 9.0 mA
IDD デバイスの消費電流 (負荷電流を除く) –40℃ ～ 85℃、Fout = 150MHz、Vdd = 1.8V±10% 7.14 9.5 mA
–40℃ ～ 85℃、Fout = 150MHz、Vdd = 3.3V±10% 8.72 11.0 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 150MHz、Vdd = 1.8V±10% 7.14 9.5 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 150MHz、Vdd = 3.3V±10% 8.72 11.0 mA
IDD_stdby デバイスのスタンバイ電流 –40℃ ～ 85℃、ST = GND、Vdd = 1.8V±10% 1.5 µA
–40℃ ～ 85℃、ST = GND、Vdd = 2.5V±10% 2 µA
–40℃ ～ 85℃、ST = GND、Vdd = 3.3V±10% 2.7 µA
–40℃ ～ 105℃、ST = GND、Vdd = 1.8V±10% 1.5 µA
–40℃ ～ 105℃、ST = GND、Vdd = 2.5V±10% 2 µA
–40℃ ～ 105℃、ST = GND、Vdd = 3.3V±10% 2.7 µA
IDD-OD 出力がディスエーブルのデバイス電流 –40℃ ～ 85℃、Fout = 25MHz、Vdd = 1.8V±10% 3.75 6.4 mA
–40℃ ～ 85℃、Fout = 25MHz、Vdd = 3.3V±10% 3.76 6.5 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 25MHz、Vdd = 1.8V±10% 3.75 7 mA
–40℃ ～ 105℃、Fout = 25MHz、Vdd = 3.3V±10% 3.76 7.1 mA
出力特性
Fout 出力周波数 0.25 200 MHz
VOL 出力 LOW 電圧 IOL = 3.6mA、VDD = 1.8V 0.36 V
IOL = 5.0mA、VDD = 2.5V 0.5 V
IOL = 6.6mA、VDD = 3.3V 0.66 V
VOH 出力 HIGH 電圧 IOH = 3.6mA、VDD = 1.8V VDD × 0.88 V
IOH = 5.0mA、VDD = 2.5V VDD × 0.85 V
IOH = 6.6mA、VDD = 3.3V VDD × 0.85 V
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOL20% ～ 80%、CL = 2pF、通常モード、Fout = 25MHz 0.28 0.65 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOLの 20% ～ 80%、CL = 2pF、低速モード 1、Fout = 25MHz 0.42 0.75 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOL20% ～ 80%、CL = 5pF、通常モード、Fout = 25MHz 0.33 0.8 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOLの 20% ～ 80%、CL = 5pF、低速モード 2、Fout = 25MHz 1.11 2.0 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOLの 20% ～ 80%、CL = 10pF、通常モード、Fout = 25MHz 0.44 1.7 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOLの 20% ～ 80%、CL = 10pF、低速モード 3、Fout = 25MHz 1.85 3.1 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOLの 20% ～ 80%、CL = 15pF、通常モード、Fout = 25MHz 0.87 2.2 ns
tR/tF 出力立ち上がり / 立ち下がり時間 VOH-VOLの 20% ～ 80%、CL = 15pF、低速モード 4、Fout = 25MHz 2.7 4.0 ns
ODC 出力デューティ サイクル 45 50 55 %
PN-Floor 出力位相ノイズ フロア (fOFFSET > 10MHz) FOUT = 50MHz -155 dBc/Hz
CL 最大容量性負荷 FOUT = 50MHz 30 pF
CL FOUT = 50MHz 15 pF
Rout-high 出力インピーダンス 37.5 50 62.5 Ω
機能ピンの特性 (OE/ST)
VIL 入力 Low 電圧 0.6 V
VIH 入力 High 電圧 1.3 V
IIL 入力 Low 電流 EN = GND -40 µA
IIH 入力 High 電流 EN = VDD 40 µA
CIN 入力容量(1) 2 pF
周波数の許容誤差
FT 総合的な周波数安定性 DLE、DLF、および DLX パッケージの場合のみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 105℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 10 年間の経年変化を含みます。 ±25 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLE、DLF、および DLX パッケージの場合のみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 105℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 1 年目の経年変化を含みます。 ±20 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLY パッケージのみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 105℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 10 年間の経年変化を含みます。 ±50 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLY パッケージのみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 105℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 1 年目の経年変化を含みます。 ±45 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLE、DLF、および DLX パッケージの場合のみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 85℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 10 年間の経年変化を含みます。 ±25 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLE、DLF、および DLX パッケージの場合のみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 85℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 1 年目の経年変化を含みます。 ±20 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLY パッケージのみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 85℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 10 年間の経年変化を含みます。 ±50 ppm
FT 総合的な周波数安定性 DLY パッケージのみ。はんだシフト、初期公差、–40℃ ～ 85℃ にわたる変動、供給電圧範囲における変動、25℃ での 1 年目の経年変化を含みます。 ±45 ppm
PSRR の特性
PSRR 50MHz 出力において 50mV の電源リップルにより誘導されるスプリアス、VDD = 2.5V/3.3V、電源デカップリング コンデンサなし 50 kHz の正弦波 -80 dBc
100 kHz の正弦波 -75 dBc
500 kHz の正弦波 -63 dBc
1 MHz の正弦波 -59 dBc
パワーオン特性
tSTART_UP 起動時間 0.95 × VDD から出力がイネーブルになり、仕様範囲内になるまでの経過時間。OE / ST = High。電源ランプ時間 200µs でテスト済み 1.5 3 ms
tRESUME チップの再開時間 ST = VIH から出力がイネーブルになり、仕様範囲内になるまでの経過時間 3 ms
tST-DIS チップのディスエーブル時間 ST = VIL からチップがスタンバイ モードになるまでの経過時間。Fout > 100MHz 250 ns
tOE-EN 出力イネーブル時間 OE = VIH から出力がイネーブルになり、仕様範囲内になるまでの経過時間。Fout > 100MHz 250 ns
tOE-DIS 出力ディスエーブル時間 OE = VIL から出力がディスエーブルになるまでの経過時間。Fout > 100MHz 250 ns
クロック出力ジッタ
R J ランダム位相ジッタ 10MHz ≤ Fout < 25MHz、積分 BW：12kHz ～ 5MHz、最大温度 = 105℃ 400 1000 fs
R J ランダム位相ジッタ 25MHz ≤ Fout ≤ 200MHz、積分 BW：12kHz ～ 20MHz、最大温度 = 105℃ 400 1000 fs
SPN100k 1kHz オフセットでのスポット位相ノイズ Fout = 100 MHz -86 dBc/Hz
SPN100k 10kHz オフセットでのスポット位相ノイズ Fout = 100 MHz -120 dBc/Hz
SPN100k 100kHz オフセットでのスポット位相ノイズ Fout = 100 MHz -138 dBc/Hz
SPN1M 1MHz オフセットでのスポット位相ノイズ Fout = 100 MHz -143 dBc/Hz
RJITT、RMS RMS 周期ジッタ Fout ≥ 25MHz  3 ps
RJITT、PK ピーク ツー ピーク周期ジッタ Fout ≥ 25MHz 26 ps
(1) 設計で実証済み。特徴付けなし