JAJSQJ4D February   2023  – October 2025 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源ランプ
      1. 7.6.1 POR および BOR
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC の標準的な周波数精度
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 システム フェーズ ロック ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
    13. 7.13 代表的な接続図
    14. 7.14 温度センサ
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 電圧特性
      2. 7.15.2 電気的特性
    16. 7.16 GPAMP
      1. 7.16.1 電気的特性
      2. 7.16.2 スイッチング特性
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C のタイミング図
      2. 7.17.2 I2C 特性
      3. 7.17.3 I2C フィルタ
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI タイミング図
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.21.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル ファイル マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 タイマ (TIMx)
    23. 8.23 デバイスのアナログ接続
    24. 8.24 入力 / 出力の回路図
    25. 8.25 シリアル ワイヤ デバッグ インターフェイス
    26. 8.26 ブートストラップ ローダ (BSL)
    27. 8.27 デバイス ファクトリ定数
    28. 8.28 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.8 フラッシュ メモリ

実行可能なプログラム コードとアプリケーション データを格納するため、1 バンクの不揮発性フラッシュ メモリを備えています。

フラッシュの主な特長は次のとおりです。

  • ハードウェア ECC 保護 (エンコードおよびデコード)、シングル ビット誤り訂正およびダブル ビット誤り検出機能付き
  • 推奨電源電圧範囲全体にわたって、インサーキットでの書き込み / 消去動作をサポート
  • 1KB の小さなセクタ サイズ (1KB の最小消去分解能)
  • EEPROM エミュレーションアプリケーションを実現するために、最大 32 個のアプリケーション選択セクタをフラッシュアドレス空間として使用することができます。この中には、メインバンクからのセクタとオプションのデータバンクが含まれます。データバンクを備えたデバイスでは、データバンクから一部のセクタ、メインバンクの残りのセクタを高耐久セクタとして使用できます。32KB 以下のフラッシュメモリを搭載したデバイスでは、フラッシュメモリ全体が NWEC (HI_ENDUSTINCE) の消去 / 書き込みサイクルをサポートしています

フラッシュ メモリの詳細な説明については、『テクニカル リファレンス マニュアル』の「NVM」の章を参照してください。