JAJSVM7A June   2023  – November 2024 UCC28731-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Timing Requirements
    7. 5.7 Switching Characteristics
    8. 5.8 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Detailed Pin Description
        1. 6.3.1.1 VDD (Device Bias Voltage Supply)
        2. 6.3.1.2 GND (Ground)
        3. 6.3.1.3 HV (High Voltage Startup)
        4. 6.3.1.4 DRV (Gate Drive)
        5. 6.3.1.5 CBC (Cable Compensation)
        6. 6.3.1.6 VS (Voltage Sense)
        7. 6.3.1.7 CS (Current Sense)
      2. 6.3.2 Primary-Side Regulation (PSR)
      3. 6.3.3 Primary-Side Constant Voltage Regulation
      4. 6.3.4 Primary-Side Constant Current Regulation
      5. 6.3.5 Valley-Switching and Valley-Skipping
      6. 6.3.6 Startup Operation
      7. 6.3.7 Fault Protection
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Input Bulk Capacitance and Minimum Bulk Voltage
        2. 7.2.2.2 Transformer Turns Ratio, Inductance, Primary-Peak Current
        3. 7.2.2.3 Transformer Parameter Verification
        4. 7.2.2.4 Output Capacitance
        5. 7.2.2.5 VDD Capacitance, CVDD
        6. 7.2.2.6 VS Resistor Divider, Line Compensation, and Cable Compensation
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 Do's and Don'ts
    4. 7.4 Power Supply Recommendations
    5. 7.5 Layout
      1. 7.5.1 Layout Guidelines
      2. 7.5.2 Layout Example
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 Device Nomenclature
        1. 8.1.1.1  Capacitance Terms in Farads
        2. 8.1.1.2  Duty-Cycle Terms
        3. 8.1.1.3  Frequency Terms in Hertz
        4. 8.1.1.4  Current Terms in Amperes
        5. 8.1.1.5  Current and Voltage Scaling Terms
        6. 8.1.1.6  Transformer Terms
        7. 8.1.1.7  Power Terms in Watts
        8. 8.1.1.8  Resistance Terms in Ω
        9. 8.1.1.9  Timing Terms in Seconds
        10. 8.1.1.10 DC Voltage Terms in Volts
        11. 8.1.1.11 AC Voltage Terms in Volts
        12. 8.1.1.12 Efficiency Terms
    2. 8.2 Documentation Support
      1. 8.2.1 Related Documentation
    3. 8.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 Trademarks
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

1 特長

  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃
    • デバイス HBM 分類レベル 2：±2kV
    • デバイス CDM 分類レベル C4B：±750V
  • 機能安全対応
    • 機能安全システム設計に役立つ資料を利用可能
  • Zero-Power: 5mW 未満の待機電力を実現
  • 1 次側レギュレーション (PSR) によりオプトカプラが不要
  • ラインおよび負荷範囲全体にわたる ±5% の電圧レギュレーションおよび電流レギュレーション
  • 30V の最小スタートアップ電圧で 700V のスタートアップ スイッチ
  • 83kHz の最大スイッチング周波数により低待機電力の充電器を設計可能
  • 共振リング バレー スイッチング動作により全体効率を向上
  • 周波数ディザリングにより EMI 準拠が容易
  • クランプされた MOSFET 用ゲート駆動出力
  • 過電圧、低ライン、過電流保護機能
  • プログラミング可能なケーブル補償
  • SOIC-7 パッケージ