JAJSW41 January   2025 SN54SC8T373-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性
    7. 5.7 タイミング特性
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 平衡化された CMOS 3 ステート出力
      2. 7.3.2 SCxT 拡張入力電圧
        1. 7.3.2.1 昇圧変換
        2. 7.3.2.2 降圧変換
      3. 7.3.3 クランプ ダイオード構造
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
    3. 8.3 設計要件
      1. 8.3.1 電源に関する考慮事項
      2. 8.3.2 入力に関する考慮事項
      3. 8.3.3 出力に関する考慮事項
    4. 8.4 詳細な設計手順
    5. 8.5 アプリケーション曲線
    6. 8.6 電源に関する推奨事項
    7. 8.7 レイアウト
      1. 8.7.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.7.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

1 特長

  • VID (Vendor Item Drawing) V62/25626-01XE が利用可能
  • 放射線 - トータル ドーズ効果 (TID)
    • 50krad(Si) まで吸収線量 (TID) 特性を評価済み
    • 30krad(Si) まで吸収線量 (TID) 性能保証
    • すべてのウェハー ロットに対する 30krad(Si) までの放射線ロット受け入れテスト (RLAT)
  • 放射線 - シングル イベント効果 (SEE)：
    • 単一イベント ラッチアップ (SEL) 耐性：125℃で 50MeV-cm2/mg まで
    • シングル イベント過渡 (SET) 特性：LET = 50MeV-cm2/mg (最大値)

  • 幅広い動作範囲：1.2V～5.5V

  • 単一電源電圧レベル シフタ：

    • 昇圧変換：

      • 1.2V～1.8V

      • 1.5V～2.5V

      • 1.8V～3.3V

      • 3.3V～5.0V

    • 降圧変換：

      • 5.0V、3.3V、2.5V から 1.8V
      • 5.0V、3.3V から 2.5V
      • 5.0V～3.3V
  • 5.5V 耐圧入力ピン
  • 標準ピン配置をサポート
  • 5V または 3.3V の VCC で最大 150Mbps
  • JESD 17 準拠で 250mA 超のラッチアップ性能
  • 宇宙用強化プラスチック
    • 防衛および航空宇宙アプリケーションをサポート
    • 管理されたベースライン
    • Au ボンド ワイヤと NiPdAu リード仕上げ
    • NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
    • 単一の製造、アセンブリ、テスト施設
    • 長期にわたる製品ライフ サイクル
    • 製品のトレーサビリティ