JAJSWS3A October   2015  – June 2025 CSD19532KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3説明
  5. 4仕様
    1. 4.1 電気的特性
    2. 4.2 熱に関する情報
    3. 4.3 代表的な MOSFET の特性
  6. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 5.2 ドキュメントのサポート
      1. 5.2.1 関連資料
    3. 5.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 商標
    6. 5.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 5.7 用語集
  7. 6改訂履歴
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

4.3 代表的な MOSFET の特性

(特に記述のない限り TA = 25℃)

CSD19532KTT 過渡熱抵抗
図 4-1 過渡熱抵抗
CSD19532KTT 飽和特性
図 4-2 飽和特性
CSD19532KTT 伝達特性
VDS = 5V
図 4-3 伝達特性
CSD19532KTT ゲート電荷
VDS = 50VID = 90A
図 4-4 ゲート電荷
CSD19532KTT スレッショルド電圧と温度との関係
ID = 250µA
図 4-6 スレッショルド電圧と温度との関係
CSD19532KTT 通常のオン状態抵抗と温度との関係
ID = 90A
図 4-8 通常のオン状態抵抗と温度との関係
CSD19532KTT 安全動作領域 (最大値)
単一パルス、最大 RθJC = 0.6℃/W
図 4-10 安全動作領域 (最大値)
CSD19532KTT ドレイン電流 (最大値) と温度との関係
図 4-12 ドレイン電流 (最大値) と温度との関係
CSD19532KTT 容量
図 4-5 容量
CSD19532KTT オン状態抵抗とゲート - ソース間電圧との関係
図 4-7 オン状態抵抗とゲート - ソース間電圧との関係
CSD19532KTT ダイオードの順方向電圧 (標準値)
図 4-9 ダイオードの順方向電圧 (標準値)
CSD19532KTT 単一パルスの非クランプ誘導性スイッチング
図 4-11 単一パルスの非クランプ誘導性スイッチング