JAJSWS3A October   2015  – June 2025 CSD19532KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3説明
  5. 4仕様
    1. 4.1 電気的特性
    2. 4.2 熱に関する情報
    3. 4.3 代表的な MOSFET の特性
  6. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 5.2 ドキュメントのサポート
      1. 5.2.1 関連資料
    3. 5.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 商標
    6. 5.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 5.7 用語集
  7. 6改訂履歴
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

4.1 電気的特性

(特に記述のない限り TA = 25℃)
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
スタティック特性
BVDSSドレイン - ソース間電圧VGS = 0V、ID = 250μA100V
IDSSドレイン - ソース間リーク電流VGS = 0V、VDS = 80V1μA
IGSSゲート - ソース間リーク電流VDS = 0V、VGS = 20V100nA
VGS(th)ゲート - ソース間スレッショルド電圧VDS = VGS、ID = 250μA2.22.63.2V
RDS(on)ドレイン - ソース間オン抵抗VGS = 6V、ID = 90A5.36.6mΩ
VGS = 10V、ID = 90A4.65.6mΩ
gfs相互コンダクタンスVDS = 10V、ID = 90A113S
ダイナミック特性
Ciss入力容量VGS = 0V、VDS = 50V、ƒ = 1MHz38905060pF
Coss出力容量674876pF
Crss帰還容量1418pF
RG直列ゲート抵抗1.32.6Ω
Qgゲートの合計電荷 (10V)VDS = 50V、ID = 90A4457nC
Qgdゲート電荷、ゲート - ドレイン間5.6nC
Qgsゲート電荷、ゲート - ソース間17nC
Qg(th)Vth でのゲート電荷量9.6nC
Qoss出力電荷量VDS = 50V、VGS = 0V124nC
td(on)ターンオン遅延時間VDS = 50V、VGS = 10V、
IDS = 90A、RG = 0Ω		9ns
tr立ち上がり時間3ns
td(off)ターンオフ遅延時間14ns
tf立ち下がり時間2ns
ダイオード特性
VSDダイオード順方向電圧ISD = 90A、VGS = 0V0.91.0V
Qrr逆方向回復電荷VDS= 50V、IF = 90A、
di/dt = 300A/μs		326nC
trr逆方向回復時間74ns