JAJU886 January   2023

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   リソース
  4.   特長
  5.   アプリケーション
  6.   6
  7. 1システムの説明
    1. 1.1 主なシステム仕様
  8. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計上の考慮事項
      1. 2.2.1  6W 補助電源
      2. 2.2.2  AC 入力電流センシング
      3. 2.2.3  DC バス電圧センシング
      4. 2.2.4  AC 入力電圧センシング
      5. 2.2.5  GaN の駆動
      6. 2.2.6  パワーオン時の突入電流保護
      7. 2.2.7  過電流保護
      8. 2.2.8  AC 入力低電圧保護
      9. 2.2.9  DC バス過電圧保護
      10. 2.2.10 GaN 温度監視および保護
      11. 2.2.11 ヒートシンク温度監視および保護
      12. 2.2.12 UART ハートビート・レポート
      13. 2.2.13 モーター制御インターフェイス
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1 LMG352xR030
      2. 2.3.2 TMS320F28002x
      3. 2.3.3 UCC2871x
      4. 2.3.4 TLV906x
      5. 2.3.5 TPS54308
  9. 3ハードウェア、ソフトウェア、テスト要件、テスト結果
    1. 3.1 ハードウェア要件およびアセンブリ
      1. 3.1.1 テスト装置要件
    2. 3.2 ソフトウェア要件
    3. 3.3 テスト構成
    4. 3.4 テスト結果
      1. 3.4.1 テスト手順
        1. 3.4.1.1 90VAC でのテスト手順
        2. 3.4.1.2 220VAC でのテスト手順
    5. 3.5 性能データ：効率、iTHD、力率
    6. 3.6 機能波形
      1. 3.6.1  90VAC、800Ω 負荷でのテスト
      2. 3.6.2  220VAC でのパワーオン・シーケンス・テスト
      3. 3.6.3  重負荷時の波形
      4. 3.6.4  補助降圧電源のテスト
      5. 3.6.5  AC 電圧降下テスト
      6. 3.6.6  GaN スイッチング性能
      7. 3.6.7  温度テスト
      8. 3.6.8  パワーオフ・シーケンス
      9. 3.6.9  サージ・テスト
      10. 3.6.10 伝導エミッション・テスト
  10. 4設計とドキュメントのサポート
    1. 4.1 設計ファイル
      1. 4.1.1 回路図
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 ドキュメントのサポート
    3. 4.3 サポート・リソース
    4. 4.4 商標
  11. 5著者について

2.3.1 LMG352xR030

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG352xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG352xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング安全動作領域 (SOA) をもたらします。この統合と低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。

先進の電源管理機能にはデジタル温度レポート機能とテキサス・インスツルメンツの理想ダイオード・モードが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を管理できます。理想ダイオード・モードは、適応型デッドタイム制御により第 3 象限の損失を低減することで効率を最大化します。