JAJU923 February 2024
このリファレンス デザインは、特にモーター一体型サーボ ドライブやロボット アプリケーション向けに、GaN FET、ドライバ、ブートストラップ ダイオードを内蔵した 100V、35A の LMG2100R044 GaN ハーフブリッジを 3 個使用した、高電力密度の 12V~60V 3 相電力段を示しています。IN241A 電流センス アンプを使用して高精度の位相電流センシングを実現するほか、DC リンクと位相電圧も測定されるため、InstaSPIN-FOC™ のような高度なセンサレス設計の検証を実施できます。この設計では、テキサス・インスツルメンツのブースタパック™と互換の 3.3V I/O インターフェイスを採用しており、C2000™ MCU LaunchPad™ 開発キットや C2000™ マイクロコントローラと接続して、テキサス・インスツルメンツの GaN 技術の性能評価を迅速かつ容易に行うことができます。